Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Неохлаждаемый фотовольтаический преобразователь ИК-диапазона на основе CdхHg1-хTe/Si (х = 0,3)
- Авторы
- Савкина Рада Константиновна , старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников им. В. Е. Лошкарева НАН Украины, Украина, 03028, Киев, пр. Науки, 41.Тел. (044) 525-18-13
Сизов Федор Федорович , зав. отделом, Институт физики полупроводников им. В. Е. Лошкарева НАН Украины, Украина, 03028, Киев, пр. Науки, 41. Тел. (044) 525-18-13
Смирнов Алексей Борисович alex_tenet@isp.kiev.ua, старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников им. В. Е. Лошкарева НАН Украины, Украина, 03028, Киев, пр. Науки, 41. Тел. (044) 525-18-13
Дериглазов Владимир Александрович , младший научный сотрудник, Институт физики полупроводников им. В. Е. Лошкарева НАН Украины, Украина, 03028, Киев, пр. Науки, 41. Тел. (044) 525-18-13
Якушев Максим Витальевич , старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Россия, 630090, г. Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева,13
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- ИК-детектор / деформации / пьезосвойства / CdHgTe
- Год
- 2011 номер журнала 4 Страницы 58 - 64
- Индекс УДК
- УДК 621.315.522; 621.383; 537.226.86
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Предложен неохлаждаемый приемник ИК-излучения на базе напряженной гетероструктуры Cd0,3Hg0,7Te/(310)Si. Фото-ЭДС прототипа показывает зависимость от интенсивности падающего излучения I и его спектрального состава I(λ) на уровне D* ~ 3⋅108 (Вт∙см∙Гц1/2) при 300 К. Обсуждается роль пьезосвойств пленки узкозонного полупроводника гетероструктуры Cd0,3Hg0,7Te/Si. Проведено физическое моделирование диффузионно-дрейфовой модели для пленки Cd0,3Hg0,7Te при 300 К.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Niedziela T., Ciupa R.//Electron Technology. 2000. V. 33. No. 4. P. 542
Norton P.//Opto-еlectronics review. 2002. V. 10. No. 3. P. 159.
Datskos P. G. et al.//Appl. Phys. Lett. 1998. No. 16. P. 2319; 2006. No. 89. P. 073118-1.
Rogalski A. Symposium on Photonics Technologies for 7th Framework Program, Wroclaw. 2006.
Сизов Ф. Ф. Фотоэлектроника для систем видения в невидимых участках спектра. - Киев: Академпериодика, 2008.
Овсюк В. Н. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. - Новосибирск: Наука, 2001.
Rogalski A. Infrared detectors. - Amsterdam: Gordon and Breach Science Publishers, 2000.
Piotrowski J., Rogalski A.//Infrared Physics & Techno-logy. 2004. No. 46. P. 115.
Ashley T., Elliott C. T., Harker A. T. // Infrared Physics. 1986. No. 26. P. 303.
Velicu S., Badano G., Selamet Y., Grein C. H., Faurie J. P., Sivananthan S., Boieriu P., Don Rafol, Ashokan R. // Journal of Electronic Materials. 2001. V. 30. No. 6. P. 711.
Piotrowski J.//Optoelectronics review. 2004. No. 12. P. 111.
Пат. 40 000 Украины от 25 марта 2009 г.
Figielski T. // Phys. Status Solidi. 1961. No. 1. P. 306.
von Preissig F. J.//J. Appl. Phys. 1989. No. 66. P. 4262 .
Wan C. F., Luttmer J. D., List R. S., Strong R. L. // Journal of Electronic Materials. 1995. V. 24. No. 9. P. 1293.
Гергобиани А. Н. и др. Физика соединений AIIBVI. - М.: Наука, 1986.
Шаскольская М. П. Кристаллография. - М.: Высшая школа, 1976.
Гершанов В. Ю., Гармашов С. И. Методические указания. "Методы и алгоритмы структурно-физического моделирования элементов интегральных схем в диффузионно-дрей-фовом приближении". Часть II. - Ростов-на-Дону, 2000.
Калиткин Н. Н. // Математическое моделирование. 1995. T. 7l. № 5. C. 8.
Chu J., Sher A. Devices Physics of Narrow Gap Semiconductors, Springer, 2009.
Gummel H. K.//IEEE Trans. 1964. ED-11. No. 10.
Гарбер Г. З. // Математическое моделирование. 1989. T. 1. № 10. C. 1.
- Купить
- 100.00 руб