Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Особенности создания внутреннего геттера для ПЗС в пластинах диаметром 150 мм из кремния с более совершенной структурой
- Авторы
- Васильев Илья Николаевич waxzzz@yandex.ru, аспирант кафедры автоматизированных систем обработки информации и управления, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия
Костюков Евгений Васильевич , зам. начальника отдела, ФГУП НПП "Пульсар", Россия, 105187, Москва, Окружной проезд, 27. Тел. (495) 365-55-38
Поспелова Марина Алексеевна mpospelova@pulsarnpp.ru, старший научный сотрудник, ФГУП НПП "Пульсар", Россия, 105187, Москва, Окружной проезд, 27. Тел. (495) 365-55-38
Русак Татьяна Федоровна , ведущий инженер-технолог, ФГУП НПП "Пульсар", Россия, 105187, Москва, Окружной проезд, 27. Тел. (495) 365-55-38
Петлицкий Александр Николаевич , директор центра, ОАО "Интеграл", Беларусь, 220108, г. Минск, ул. Корженевского, 16
Турцевич Александр Степанович , главный инженер, ОАО "Интеграл", Беларусь, 220108, г. Минск, ул. Корженевского, 16
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- внутренний геттер / приборы с зарядовой связью / преципитация кислорода / поток вакансий в объеме пластины
- Год
- 2011 номер журнала 4 Страницы 99 - 103
- Индекс УДК
- УДК 621.383.4/5
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Для создания внутреннего геттера в пластинах КДБ20 диаметром 150 мм (ОАО "ЭЛМА" 2003) в отличие от пластин КДБ20 диаметром 100 мм КДБ20 ("ЭЛМА", 1986, 1990) необходим либо длительный отжиг при 700 ° С, либо проведение первого отжига при 1200 ° С в атмосфере кислорода. Это показывает, что пластины диаметром 150 мм содержат мало ростовых дефектов, поэтому для зарождения преципитатов необходим либо низкотемпературный отжиг, либо поток вакансий в объеме пластины, который образуется при окислении поверхности в ходе проводящегося первым отжига при 1200 ° С.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Shimura F. Semiconductor Silicon Crystal Technology. Academic Press, Inc., San Diego Calif., 1989.
Borghesi A., Pivac B., Sassella A., Stella A.// J. Appl. Phys. 1995. V. 77. No. 9. P. 4169.
Falster R., Cornara M., Gambaro D., Olmo M., Pagani M.// Solid State Phenomena. 1997. V. 57-58. P. 123-128.
Falster R., Pagani M., Gambaro D., Cornara M., Olmo M., Ferrero G., Pichler P., Jacob M.// Ibid. P. 129.
Kelton K. F., Falster R., Gambaro D., Olmo M., Cornara M., Wei P. F.//J. Appl. Phys. 1999. V. 85. No. 12. P. 8097.
Borghesi A., Sassella A., Porrini M., Gambaro D., Olmo M.// Mater. Sci. Eng. 2000. No. 73. P. 149.
Binetti S., Pizzini S., Leoni E., Somaschini R., Castaldini A., Cavallini A.// J. Appl. Phys. 2002. V. 92. No. 5. P. 2437.
Костюков Е. В., Поспелова М. А., Русак Т. Ф., Трунов С. В., Облыгина Т. А., Никитина Г. И. // Прикладная физика. 2005. № 1. С. 124.
Swaroop R., Kim N., Lin W., Bullis M., Shive L., Rice A., Castel E., Christ M.//Solid State Technology. 1987. March. P. 85.
Костюков Е. В., Поспелова М. А., Русак Т. Ф., Трунов С. В.// Прикладная физика. 2003. № 5. С. 102.
- Купить
- 100.00 руб