Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Фотоприемное устройство формата 6×576 элементов на спектральный диапазон 8-12 мкм
- Авторы
- Бурлаков Игорь Дмитриевич orion@orion-ir.ru, и. о. заместителя генерального директора, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111123, Москва, ш. Энтузиастов, 46/2
Яковлева Наталья Ивановна orion@orion-ir.ru, заместитель начальника НИЦ, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111123, Москва, ш. Энтузиастов, 46/2
Болтарь Константин Олегович orion@orion-ir.ru, начальник НТК, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111402, Москва, ул. Косинская, 9. Тел. (495) 374-81-30
Филачёв Анатолий Михайлович orion@orion-ir.ru, генеральный директор, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111402, Москва, ул. Косинская, 9. Тел. (495) 374-81-30
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИИ
- Ключевые слова
- КРТ / гетероэпитаксиальные структуры / матрица фоточувствительных элементов / многорядное фотоприемное устройство / МФПУ / фотоэлектрические характеристики
- Год
- 2012 номер журнала 3 Страницы 61 - 65
- Индекс УДК
- УДК 621.383.4/5:621.315.5
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Исследованы фотоэлектрические характеристики многорядного фотоприемного устройства формата 6×576 элементов на основе гетероэпитаксиальных структур полупроводникового соединения кадмий-ртуть-теллур, выращенных методами молекулярно-лучевой эпитаксии. Для кристалла матрицы формата 6×576 элементов разработана топология с уменьшенным до 14 мкм шагом, которая является наиболее приемлемой для замены изделий формата 4×288 элементов в аппаратуре применения без изменения оптической системы, сканера и блока электронной обработки. Предложенные технические решения позволяют повысить удельную обнаружительную способность до значений более 2⋅1011 Вт-1⋅см⋅Гц1/2, а также улучшить разрешающую способность и поле зрения тепловизионных средств.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Бурлаков И. Д., Пономаренко В. П., Филачёв А. М., Дегтярев Е. В. // Прикладная физика. 2007. № 2. С. 43.
Boltar К. О., Burlakov I. D., Filachev A. M., Klimanov E. A., Ponomarenko V. P., Solyakov V. N., Stafeev V. I. // Optical Memory and Neural Networks (Information Optics). 2007. V. 16. No. 4. P. 234.
Boltar K. O., Burlakov I. D., Ponomarenko V. P., Yakovleva N. I., Klimanov E. A., Akimov V. M. // Ibid. 2008. V. 17. No. 1. P. 9.
TDI 288×4 MCT LWIR IDCA, SemiConductor Devices, сайт фирмы - www.scd.co.il.
PLUTON LW, 288×4 HgCdTe LWIR, THE WORLDWIDE REFERENCE FOR 2-nd GEN. SCANNING SYSTEMS, data sheet, сайт фирмы Sofradir - www.sofradir.com.
Krishnamurthy M., Petroff P. M., Arias J. M. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 73. P. 7952.
Овсюк В. Н., Васильев В. В., Талипов Н. Х., Ромашко Л. Н., Козлов А. И., Марчишин И. В. Фотоприемники на основе слоев HgCdTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией: Сб. "Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона"/ Под ред. С. П. Синицы. - Новосибирск: Наука, 2001.
- Купить
- 100.00 руб