Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Фотоприемник с управляемой спектральной характеристикой на основе гетероструктуры n-ZnS-n-GaAs
- Авторы
- Сусляков Юрий Васильевич Suslyakov48@mail.ru, доцент, Калмыцкий государственный университет, Россия, 358000, Калмыкия, г. Элиста, ул. Пушкина,11. Тел. (8-84722) 3-90-11
Кормильцев Иван Васильевич , старший преподаватель, Калмыцкий государственный университет, Россия, 358000, Калмыкия, г. Элиста, ул. Пушкина,11. Тел. (8-84722) 3-90-11
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- гетероэпитаксиальный слой / гетероструктура / фотоэлектрические свойства
- Год
- 2011 номер журнала 3 Страницы 95 - 97
- Индекс УДК
- УДК 621.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Рассмотрены технология получения, структурные и фотоэлектрические свойства гетероэпитаксиальных слоев сульфида цинка на арсениде галлия. Показано, что спектральная характеристика изотипных гетероструктур n-ZnS-n-GaAs имеет три максимума с длинами волн 750, 450 и 335 нм. При переходе из длинноволновой области в коротковолновую область излучения и обратно происходит смена знака фотоответа. Вид спектральной характеристики изотипной гетероструктуры n-ZnS-n-GaAs зависит от знака и величины приложенного напряжения.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Бланк Т. В., Гольдберг Ю. А. Полупроводниковые фотопреобразователи для ультрафиолетовой области спектра (обзор)// ФТП. 2003. Т. 37. № 9. С. 1025.
Физика и химия соединений А2В6: пер. с англ.// Под ред. С. А. Медведева. - М.: Мир, 1970.
Yim W. M., Dismukes J. P., Kressel H. Vapor Growth of (II-VI) Quaternary Alloys and Their Properties// RCA Review. 1970. V. 31. No. 4. P. 662.
- Купить
- 100.00 руб