Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Исследование МДП-структур на основе МЛЭ CdхHg1-хTe с анодным окислом
- Авторы
- Васильев Владимир Васильевич vas@thempo.isp.nsc.ru, старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, пр-т Ак. Лаврентьева, 13. Тел.: (783) 333-10-82
Машуков Юрий Петрович vas@thempo.isp.nsc.ru, научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, пр-т Ак. Лаврентьева, 13. Тел.: (783) 333-10-82
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- исследование / образец / широкозонный слой / МДП-структура
- Год
- 2010 номер журнала 4 Страницы 106 - 110
- Индекс УДК
- УДК 537.311.33
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Исследованы четыре образца молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) CdxHg1-xTe, имеющих одинаковый состав х = 0,22, но различные концентрации электронов, причем часть из них имела на поверхности широкозонный варизонный слой. Диэлектриком в МДП-струк-турах служил анодный окисел. Для коррекции экспериментально измеренных вольт-фарадных характеристик (ВФХ) в целях исключения влияния базового сопротивления предложена соответствующая процедура. Для одного из образцов определено генерационное сопротивление области пространственного заряда МДП-структуры, находящейся в режиме сильной инверсии.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Овсюк В. Н., Курышев Г. Л., Сидоров Ю. Г. и др. Матричные фотоприемные устройства ИК-диапазона. - Новосибирск: Наука, 2001.
Vasilyev V. V., Esaev D. G., Klimenko A. G. Focal plane arrays based on CdHgTe epitaxial layers MBE-grown on GaAs substrates// Proc. SPIE. 1997. V. 3061. P. 956.
Leonard W. F., Vichael M. Surface-state of nonparabolic band semiconductors using MIS structures// J. Appl. Phys. 1979. No. 50(3). March. P. 1450.
Nguen Thi Bao Ngoc, Nguyen Van Nha. The interface characteristics of passivity anodic oxide films on Hg0,8Cd0,2Te by C-V measurements// Thin Solid Films. 1998. No. 334. P. 40-43.
Овсюк В. Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. - Новосибирск: Наука, Сиб. отд., 1984.
- Купить