Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЕ КОДА NRZ В КОД RZ
- Авторы
- Тимошенков В. П. , канд. техн. наук, ,
Новожилов В. Е. , , ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2007 номер журнала 3 Страницы 73 - 80
- Индекс УДК
- УДК 621.3.049.77.001
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Рассмотрены аспекты проектирования интегральной схемы пребразователя NRZ-кода в RZ-код на основе кремниевых гетеропереходных транзисторов. Предложена оригинальная схемотехника блоков, проведены компьютерное моделирование и экспериментальные исследования устройства для скорости передачи 10 Гбит/с. Экспериментальные результаты хорошо совпадают с результатами моделирования.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
DeAndrea J. NRZ-to_RZ Convertion for Metro Design//http://www.commsdesign.com/ /design_center/opticalnetwoking/design_corner/showArtic.
Kempf P. Silicon germanium bicmos technology//International conference on Silicon Epitaxy and Heterostructure. Santa Fe, March, 2003
Racanelli M., Kempf P. SiGe BiCMOS technology for communication systems: International confe-rence on solid state devices and materials, Naqoja. September, 2002.
CMOS-technologies and silicon bipolar transistors//http: //www.wtec.org/loyola/wireless/05_02.htm
Philips announces a silicon-based BiCMOS technology for emerging microwave applications//http://www.semiconductors.philips.com/news/content/file_1192.html
Khater M., Rieh J.-S., Adam T. еt al. SiGe HBT technology with fMAX/fT= 350/300 GHz and gate delay below 3.3 ps // Dig. Int. Electron Devices Meeting, 2004. Р. 247-250.
Pan N., Elliott J., Knowles M., Vu D. P. High Reliability InGaP/GaAs HBT//IEEE electron device letters, volume: 19, Issue: 4 Apr. 1998. Р. 115-117.
Pan N., Welser R. E., Lutz C. R., Elliot J., Rodrigues J. P. Reliability of AlGaAs and InGaP Heterojunction bipolar transistors//IEICE Trans. Electron. November 1999. V. E82-C. № 11.
Cherry E. M., Hooper D. E. The design of wide-band transistor feedback amplifiers: Proc. IEEE. February, 1963. V. 110. Р. 375-389.
BiCMOS & SiGe http://www.jazzsemi.com/process_technologies/sige.shtml
Racanelli M., Kempf P. SiGe BiCMOS technology for сommunication рroducts// http://www.jazzsemi.com/docs/sige_tech_for_comm_prods.pdf#search=%22Jazz%20SiGe120%22
- Купить