02.04.2014
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ
№ 1 Основан в 1994 г. Москва 2014
С О Д Е Р Ж А Н И Е
|
Аксинин В.И., Казанцев С.Ю., Кононов И.Г., Кудрявцев Е.М., Орлов А.А., Подлесных С.В., Фирсов К.Н., Хорозова О.Д Конверсия SiF4 во фторсиланы и моносилан в плазме объемного самостоятельного разряда
|
|
5 |
|
Александров А.Ф., Вавилин К.В., Кралькина Е.А., Неклюдова П.А., Павлов В.Б. Исследование параметров плазмы ВЧ-индуктивного источника плазмы диаметром 46 см. Часть II. Математическое моделирование параметров плазмы индуктивного и гибридного ВЧ-разрядов
|
|
9 |
|
Бардаков В.М., Иванов С.Д., Казанцев А.В., Строкин Н.А. К вопросу о реализации плазмооптической масс-сепарации
|
|
12 |
|
Ернылева С.Е., Лоза О.Т. Конфигурации импульсно-периодических плазменных релятивистских СВЧ-генераторов
|
|
17 |
|
Иванов В.А., Коныжев М.Е., Зимин А.М., Тройнов В.И., Камолова Т.И., Летунов А.А. Измерение электронной температуры в микроплазменных разрядах, развивающихся на поверхности титана при импульсном электрическом токе 100А
|
|
21 |
|
Смоланов Н. А., Панькин Н.А., Батин В.В., Павкин Е.П. Структура и некоторые свойства пылевых частиц из плазмы дугового разряда
|
|
30 |
|
Тазмеева Р.Н., Тазмеев Б.Х. Экспериментальное исследование массового уноса жидкого электролитного катода под воздействием газового разряда
|
|
35 |
|
Патрашин А.И., Бурлаков И.Д., Корнеева М.Д., Шабаров В.В. Аналитическая модель для расчета параметров матричных фотоприемных устройств
|
|
38 |
|
Андреев Д.С., Болтарь К.О., Власов П.В., Лопухин А.А. Матричные фоточувствительные элементы на основе планарных фотодиодов из гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP
|
|
47 |
|
Бочков В.Д., Дражников Б.Н., Кузнецов П.А., Козлов К.В., Соляков В.Н. Метод исследования параметров ФПУ с ВЗН формата 1024×10 на основе КРТ
|
|
53 |
|
Бочков В.Д., Дражников Б.Н., Кузнецов П.А., Козлов К.В., Соляков В.Н. Особенности ФПУ с режимом ВЗН формата 1024x10 на основе КРТ
|
|
58 |
|
Кузнецов П.А., Мощев И.С. Построение БИС считывания с аналогово-цифровым преобразованием фотосигнала в ячейке матричных ФПУ длинноволнового ИК-диапазона
|
|
63 |
|
Демидов С.С., Климанов У.А., Колесникова Т.Г., Смирнов А.А. Влияние примесей переходных элементов на темновые токи кремниевых фотодиодов
|
|
68
|
|
Андреев Д.С., Лопухин А.А., Хакуашев П.Е., Чинарева И.В. Исследование темновых токов в матрицах из InGaAs/InP | 74 | |
| Сахаров М.В., Астраускас Й.И. Оценка эффективности решения информационных задач оптико-электронной системой «смотрящего» типа с инфракрасным матричным фотоприёмным устройством в поле лазерного излучения | 78 | |
| Полесский А.В., Самвелов А.В., Семенченко Н.А., Смирнова Е.А., Хамидуллин К.А. Исследование влияния работы микрокриогенной системы интегрального типа на характеристики оптико-электронных систем | 83 | |
|
ИНФОРМАЦИЯ |
|
|
|
23-я Международная Конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения (28-30 мая, 2014 г., Москва) |
|
88 |
|
Правила для авторов журнала «Прикладная физика» |
|
89 |
