29.10.2014
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ
№ 4 Основан в 1994 г. Москва 2014
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
|
Голятина Р. И., Майоров С. А. Расчет характеристик переноса электронов в смеси гелия с ксеноном |
|
5 |
|
Анпилов А. М., Бархударов Э. М., Коссый И. А., Лукьянчиков Г. С., Мисакян М. А., Моряков И. В. Тонкая наноструктурированная углеродная плёнка на поверхности металла как способ предотвращения мультипакторного разряда |
|
11 |
|
Морозов А. Н., Скрипкин А. В. Диффузия ионов в электролите под действием случайного тока |
|
16 |
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
|
Василяк Л. М., Ветчинин С. П., Панов В. А., Печеркин В. Я., Сон Э. Е. Электрический пробой при растекании импульсного тока в песке |
|
20 |
|
Андреев С. Е., Ульянов Д. К. Метод управления спектром плазменного релятивистского СВЧ-генератора в частотно-периодическом режиме |
|
26 |
|
Богачев Н. Н., Богданкевич И. Л., Гусейн-заде Н. Г. Моделирование режимов работы плазменной антенны |
|
30 |
|
Герман В. О., Глинов А. П., Головин А. П., Козлов П. В. О влиянии внешнего магнитного поля на устойчивость электродугового разряда |
|
35 |
|
Боровской А. М. Моделирование течения газа с учётом нагрева в цилиндрических каналах высоковольтных плазмотронов переменного тока |
|
40 |
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
|
Болтарь К. О., Власов П. В., Ерошенков В. В., Лопухин А. А. Исследование фотодиодов c токами утечки в матричных фотоприемниках на основе антимонида индия |
|
45 |
|
Седнев М. В., Болтарь К. О., Шаронов Ю. П., Лопухин А. А. Ионно-лучевое травление для формирования мезаструктур МФПУ |
|
51 |
|
Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Васильев В. В., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Кузьмин В. Д., Ремесник В. Г., Сидоров Ю. Г. Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22—0,23 и 0,31—0,32) в широком диапазоне температур |
|
56 |
|
Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Васильев В. В., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Кузьмин В. Д., Ремесник В. Г., Сидоров Ю. Г. Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23) |
|
62 |
|
Демидов С. С., Климанов Е. А. Влияние параметров границы раздела полупроводник-диэлектрик на ток охранного кольца кремниевых фотодиодов |
|
68 |
|
Демидов С. С., Климанов Е. А., Нури М. А. Кремниевый координатный фотодиод с улучшенными параметрами |
|
73 |
| Кашуба А. С., Головин С. В., Болтарь К. О., Пермикина Е. В., Атрашков А. C. Исследование влияния термообработки на электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев гетероструктур теллурида кадмия-ртути | 76 | |
| Бурлаков И. Д., Денисов И. А., Сизов А. Л., Силина А. А., Смирнова Н. А. Исследование шероховатости поверхности подложек CdZnTe различными методами измерения нанометровой точности | 80 | |
| Костюк Б. А., Варавин В. С., Парм И. О., Ремесник В. Г., Сидоров Г. Ю. Влияние плазмохимического травления и последующего отжига на электрофизические свойства CdHgTe | 85 | |
| Андреев Д. С., Гришина Т. Н., Мищенкова Т. Н., Тришенков М. А., Чинарева И. В. Формирование общего контакта в мезапланарных матрицах фоточувствительных элементов на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs/InP | 90 | |
| Комков О. С., Фирсов Д. Д., Ковалишина Е. А., Петров А. С. Спектральные характеристики поглощения в эпитаксиальных структурах на основе InAs при температурах 80 К и 300 К | 93 |
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
|
Мелкумян Б. В. Лазерный акселерометр на основе автономного резонаторного датчика |
|
97 |
ИНФОРМАЦИЯ
|
Правила для авторов журнала «Прикладная физика» |
|
102 |
