21.11.2014
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ
№ 5 Основан в 1994 г. Москва 2014
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
|
Войцеховский А. В., Горн Д. И. Лазерная генерация в структурах КРТ с квантовыми ямами |
|
5 |
|
Роках А. Г., Шишкин М. И., Вениг С. Б., Матасов М. Д., Аткин В. С. Аналогии между экзоэлектронной фотоэмиссией и вторично-ионным фотоэффектом в полупроводниках |
|
11 |
|
Логунов М. В., Неверов В. А., Мамин Б. Ф. Исследование структурных неоднородностей карбида кремния методом малоуглового рентгеновского рассеяния |
|
15 |
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
|
Пляка П. С., Алихаджиев С. Х., Толмачев Г. Н. Исследование пылевых частиц, образующихся при распылении сложного оксида в кислородном высокочастотном разряде |
|
19 |
ЭЛЕКТРОННЫЕ, ИОННЫЕ И ЛАЗЕРНЫЕ ПУЧКИ
|
Кулиш В. В., Лысенко А. В., Алексеенко Г. А., Коваль В. В., Ромбовский М. Ю. Супергетеродинные плазменно-пучковые ЛСЭ с винтовыми электронными пучками |
24 | |
|
Крылов В. И., Хомяков В. В. Тормозное излучение электронов, проходящих через многослойную структуру кулоновых центров и ускоряемых электрическим полем |
29 | |
|
Чебан А. Ю., Хрунина Н. П., Леоненко Н. А. Результаты экспериментальных исследований по резанию карбонатных горных пород мощным лазерным излучением |
|
34 |
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
|
Холоднов В. А., Бурлаков И. Д., Другова А. А. Аналитический подход к выбору оптимальной структуры лавинных гетерофотодиодов на основе прямозонных полупроводников |
|
38 |
|
Войцеховский А. В., Коханенко А. П., Лозовой К. А. Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками |
|
45 |
|
Акимов В. М., Андреев Д. С., Демидов С. С., Иродов Н. А., Климанов Е. А. Вольтамперные характеристики фотодиодов матрицы фоточувствительных элементов планарного типа на основе структуры p-InP/InGaAs/n-InP |
|
50 |
|
Балиев Д. Л., Лазарев П. С., Болтарь К. О. Исследование фотоэлектрических параметров фотоприемного модуля формата 320×256 на основе InGaAs |
|
54 |
|
Роках А. Г., Шишкин М. И., Скапцов А. А., Пузыня В. А. О возможности плазменного резонанса в пленках CdS-PbS в средней инфракрасной области спектра |
|
58 |
|
Скребнева П. С., Бурлаков И. Д., Яковлева Н. И. Исследование гетероэпитаксиальных структур CdHgTe методом спектроскопической эллипсометрии |
|
61 |
| Кашуба А. С., Пермикина Е. В., Головин С. В. Исследование поверхности эпитаксиальных гетероструктур CdхHg1-хТе после полирующего травления | 67 | |
| Гришечкин М. Б., Денисов И. А., Силина А. А., Смирнова Н. А., Шматов Н. И. Исследование условий выращивания монокристаллов Cd1-xZnxTe (х ≤ 0,04) методом вертикальной направленной кристаллизации по Бриджмену | 72 | |
| Мадатов Р. С., Алекперов А. С., Гасанов О. М., Байрамов Р. Б. Влияние атомов примеси Sm и гамма-излучения на спектры фотопроводимости слоистых монокристаллов GeS | 76 |
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
|
Бедарева Е. А., Горелик Л. И., Колесова А. А., Полесский А. В., Семенченко Н. А., Шкетов А. И. Светосильный двухдиапазонный инфракрасный объектив |
|
80 |
| Тиранов Д. Т., Гусева А. А., Филиппов В. Л. Моделирование полей яркости объектов на фоне разорванной облачности атмосферы при наблюдении из нижней полусферы | 85 |
ИНФОРМАЦИЯ
|
Правила для авторов журнала «Прикладная физика» |
|
88 |
| Трехтомник по твердотельной фотоэлектронике | 90 | |
| Бланк-заказ для подписки | 92 |
