Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ИССЛЕДОВАНИЕ СЛОЕВ ОКСИНИТРИДА КРЕМНИЯ И ПРОЦЕССА ИХ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ АММОНОЛИЗОМ ДИХЛОРСИЛАНА В ПРИСУТСТВИИ ЗАКИСИ АЗОТА ПРИ ПОНИЖЕННОМ ДАВЛЕНИИ
- Авторы
- Манжа Николай Михайлович , старший научный сотрудник, "Технологический центр" Московского института электронной техники, Россия
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- осаждение оксинитрида кремния / дихлорсилан / закись азота / аммонолиз дихлорсилана в присутствии закиси азота / Locos-изоляция / оксинитрид кремния "птичий клюв"
- Год
- 2010 номер журнала 1 Страницы 83 - 87
- Индекс УДК
- УДК 621.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Представлены результаты исследования свойств слоев оксинитрида кремния и процесса их осаждения из паровой фазы аммонолизом дихлорсилана в присутствии закиси азота. Полученные слои могут быть использованы в качестве термостойкой маски при формировании процесса локального окисления Locos (Locos-изоляции) КМОП-структур СБИС на подложках КНД (кремний на диэлектрике) в субмикронной технологии.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Манжа Н. М. Исследование слоев нитрида кремния из паровой фазы аммонолизом дихлорсилана при пониженном давлении//Известия вузов. Электроника. 2008. № 4. С. 3-9.
Красников Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзи-сторов.- М.: Техносфера, 2002. Ч. 1. С. 11-14.
Jong-Ho Lee, Jong-Son Lyu, Tae Moon Roh, Bo woo Kim. Effects of BufferLayer Structure on Polysilicon Buffer LOCJS for the Isolation of SubmicronSiliconDevices//IEEE Transactions on Electron Devices. 1998. V. 45. No. 10. Р. 2153-2160.
Shimizu N., Naito Y., Shibato Y. et al. A Poly-Buffer Locos Recessed Process for 256 Mbit DRAM Cells//IEDM. 1992. Р. 279-282.
Kenkare P. U., Pfiester J. R. Extending Locos-based Approaches for Sub-0,5 μm CMOS//Semiconductor International. May 1994. Р. 64-68.
Bandenes G., Rooyackers R., Jones S. K. et al. Optimization of Polysilicon Encapsulated Local Oxidation of Silicon//J. Electrochem. Soc. 1998. V. 145. No. 5. Р. 1653-1659.
Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС/Под ред. д-ра техн. наук Ю. Д. Чистякова. - М.: Мир, 1986. С. 65-67.
Лехницкий С. Г. Теория упругости анизотропного тела. - М.: Наука, 1977. С. 416-418.
Эммануэль Н. М., Кноре Д. Г. Курс химической кинетики, 2-е изд. - М.: Высш. шк., 1969. С. 48-51.
Kuiper A. E. T., Kнoре S. W., Habraken F. H. P. M., Tamminqa Y. Deposition and composition of silicon oxynitride films//J. Vac. Sci. Technol. 1983. B1 (1). Jan.-Mar. Р. 62-66.
- Купить
