Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ИССЛЕДОВАНИЕ СИНТЕЗА СЛОЁВ НИТРИДА КРЕМНИЯ АММОНОЛИЗОМ ДИХЛОРСИЛАНА ПРИ ПОНИЖЕННОМ ДАВЛЕНИИ
- Авторы
- Манжа Н. М. , , ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- осаждение слоев / нитрид кремния / аммиак / дихлорсилан / кинетика осаждения / бимолекулярная реакция
- Год
- 2009 номер журнала 3 Страницы 44 - 49
- Индекс УДК
- УДК 621.315.592.
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Исследована кинетика осаждения слоев нитрида кремния аммонолизом дихлорсилана при пониженном давлении в интервале температур осаждения 973-1073 К и давлений в реакторе 10-130 Па. На основе бимолекулярной реакции взаимодействия дихлорсилана с аммиаком и экспериментальной скорости роста слоя нитрида кремния рассчитана константа равновесия данной реакции, при использовании которой расчетные значения кажущейся энергии активации практически совпадают с экспериментальными данными. Представлены практические рекомендации по улучшению качества слоев нитрида кремния.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Ito T., Mozaki T. et al. Thin silicon nitride films grown by direct thermal reaction with nitrogen// J. Electrochem Soc. 1978. V. 125. No. 3. P. 448.
Myrarka S. P., Chang C. C., Adams A. C. Thermal nitradation of silicon in ammonia gas: Compasition and oxidation resistance of the resulting films. 1979. V. 126. No. 6. P. 996.
Патюков С. И., Захарова В. П., Манжа Н. М. Низкотемпературные методы осаждения из паровой фазы слоев нитрида кремния// Зарубежная электронная техника. 1989. Вып. 6 (337). С. 63-89.
Васильева Л. Л., Гиновкер А. С. и др. Исследование процесса осаждения пленок нитрида кремния при взаимодействии моносилана с аммиаком// Изв. СО АН СССР. Сер. хим. н. 1979. Вып. 5. № 12. С. 54.
Семёнова О. И., Ненашева Л. А., Репинский С. М. Получение слоев нитрида кремния аммонолизом тетрахлорида кремния в реакторе с пониженным давлением// Неорганические материалы. 1981. Т. 17. № 7. С. 1223-1225.
Rosler Richard S. Low pressure CVD production processes for poly, nitride and oxide// Solid-State Technology. 1977. V. 20. No. 4. P. 63-70.
Кокин В. Н., Манжа Н. М. и др. Оптимальные условия получения высококачественных пленок нитрида кремния при пониженном давлении// Электронная промышленность. 1986. № 2. Т (31). С. 26-28.
Peev G., Zambov L., Yanakiev Y. Kinetics of the chemical reaction between dichlorosilane and ammonia during silicon nitride film deposition// Thin Solid Films. 1990. No. 189. P. 275-282.
Филлипов Ю. В., Попович М. П. Физическая химия. - М.: Изд-во МГУ, 1980. С. 242, 243.
- Купить
