Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- МОЩНЫЕ ПЛАНАРНЫЕ LDMOS-ТРАНЗИСТОРЫ ДЛЯ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
- Авторы
- Кузнецов Е. В. , , ,
Рыбачек Е. Н. , канд. техн. наук, ,
Шемякин А. В. , , ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- латеральный LDMOS-транзистор / радиочастотный транзистор / мощный МОП-тран- зистор / кремниевая технология / РЧ-модель / радиочастотные интегральные схемы (РЧИС)
- Год
- 2009 номер журнала 3 Страницы 55 - 58
- Индекс УДК
- УДК 621.382.049.77.002
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Представлен анализ особенностей конструкций и технологий мощных LDMOS-транзисторов. Рассмотрен ряд технологических и конструктивных приемов, с помощью которых был разработан технологический маршрут изготовления серии переключающих устройств на мощных транзисторах, легко вписывающийся в технологию производства кремниевых ИС с проектными нормами 1,2-2 мкм.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
- Купить
