Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУР СОСТАВА КРЕМНИЙ НА САПФИРЕ
- Авторы
- Раскин А. А. , д-р техн. наук, проф, ,
Афанасьев А. В. , , ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2008 номер журнала 4 Страницы 74 - 76
- Индекс УДК
- УДК: 621.793.162:621.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Представлено исследование процесса получения структур состава кремний на сапфире (КНС). Определены технологические параметры формирования эпитаксиального слоя КНС. Оценена возможность разработки технологии производства структур КНС диаметром 150 мм и более.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Ogawa T. At long last, SOI wafer market on the move//Solid State Technology. 2001. V. 44. № 2. P. 62-65.
Козлов Ю. Ф., Зотов В. В., Суворов В. М. Структуры КНС со сверхтонкими приборными слоями. Особенности технологии//Электронная промышленность. 2003. № 3. С. 52-55.
Козлов Ю. Ф., Зотов В. В. Структуры кремния на сапфире: технология, свойства, методы контроля, применение. - М.: МИЭТ, 2004. - 139 с.
- Купить
