Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- МОНОСИЛИЦИД НИКЕЛЯ В ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ НА ПОДЛОЖКАХ КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ
- Авторы
- Кузнецов Е. В. , , ,
Рыбачек Е. Н. , канд. техн. наук, ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2008 номер журнала 4 Страницы 76 - 80
- Индекс УДК
- УДК 621.382.049.77.002
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Представлены материалы исследований особенностей использования самосовме-щенной Salicide-технологии на основе моносилицида никеля для создания МОП-тран-зисторов на КНИ-подложках. В результате указанных исследований была разработана и оптимизирована технология изготовления КМОП-структур с применением моносилицида никеля.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
1. Wang Jing., Solomon Paul M. and Lundstrom Mark. A General Approach for the Performance Assessment of Nanoscale Silicon FETs//IEEE Transaction on Electron Devices, 2004.
Chi. D. Z., Mangelinck D., Zuruzi A. S. Nickel Silicide as a Contact Material for Submicron CMOS Devices//Journal of Electronic materials. 2001. № 12.
- Купить
