Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТА ПРОБОЯ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА, ВЫЗВАННОГО ПОПАДАНИЕМ ТЯЖЕЛОЙ ЕДИНИЧНОЙ ЗАРЯЖЕННОЙ ЧАСТИЦЫ В ПЛАНАРНЫЙ СИЛОВОЙ МОП-ТРАНЗИСТОР
- Авторы
- Красюков А. Ю. , канд. техн. наук, ,
Кузнецов Е.В. , , ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2007 номер журнала 4 Страницы 41 - 46
- Индекс УДК
- УДК 621.3.049.77.002
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Проведен сравнительный анализ стойкости вертикального силового ДМОП-транзистора и планарного силового МОП-ранзистора к SEGR-эффекту с использованием системы приборно-технологического моделирования TCAD. Иследования показали, что замена вертикального силового ДМОП-транзистора на планарный силовой МОП-танзистор позволяет существенно увеличить стойкость схемы к SEGR-эффекту.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Baliga B. J. An overview of smart power technology// IEEE Trans. Electron Devices. 1991. № 7. Р. 1568-1575.
Воронин П. А. Силовые полупроводниковые ключи. Семейства, характеристики, применение. - M.: Додэка-XXI, 2001. - 384 c.
Wallmark T., Marcus S. M. Minimum size and maximum packaging density of non-redundant semiconductor devices// Proc. IRE. 1962. V. 50. P. 286-298.
Binder D., Smith E. C., Holman A. B. Satellite anomalies from galactic cosmic rays// IEEE Trans. on Nuclear Science. 1975. V. NS-22. № 6. Р. 2675-2680.
May T. C., Woods M. H. Alpha-particle-induced soft errors in dynamic memories// IEEE Trans. on Electron Devices. 1979. V. ED-26. № 1. Р. 2-9.
Fischer T. A. Heavy-ion-induced, gate-rupture in power MOSFETs// IEEE Trans. on Nuclear Science. 1987. V. 34. № 6. Р. 1786-1791.
Titus J., Wheatley C. F. Experimental studies of single-event gate rupture and burnout in vertical power MOSFETs// Ibid. 1996. V. 43. № 2. Р. 533-545.
Titus J. L., Wheatley C. F., Burton D. I., Allenspach M., Brews J., Schrimpf R., Galloway K., Mouret I., Pease R. L. Impact of Oxide Thickness on SEGR; Development of a Semi-Empirical Expression// Ibid. 1995. № 12. Р. 1928-1934.
Calvel P., Peyrotte C., Baiget A., Stassinopoulos E. G. Comparison of experimental measurements of power MOSFET SEBs in dynamic and static modes// Ibid. 1991. № 12. P. 1310-1314.
- Купить
