Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- УСТАНОВКА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО НАРАЩИВАНИЯ ДЛЯ ИНДИВИДУАЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА
- Авторы
- Тимофеев В. Н. , д-р техн. наук, проф, ,
Миркурбанов Х. А. , канд. техн. наук, ,
Сажнев С. В. , канд. техн. наук, ,
Чумак В. Д. , канд. техн. наук, ,
Трошин А. В. , , ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2007 номер журнала 1 Страницы 43 - 50
- Индекс УДК
- УДК 621.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Приведены результаты теплофизических и физико-механических исследований состояния подложки в реакторе эпитаксиального наращивания для индивидуальной обработки подложек больших диаметров. Дан анализ газодинамических характеристик потока в щелевом кварцевом реакторе. Описана структура пластически деформированных подложек, приведены основные параметры специализированной установки.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Петров С. В., Прокопьев Е. П., Белоусов В. С. Опытно-промышленная эпитаксия кремния: Новая аналитическая модель//Петербургский журнал электроники/ 1996. № 1 (10). С. 29-40.
Макушин М. В. Современное состояние и перспективы развития рынка эпитаксиальных пластин//Зарубежная электронная техника: ЦНИИ "Электроника". 2001. Вып. 4. С. 53-59.
Самойликов В. К. Оптимизация технологического оборудования и процесса газофазной эпитаксии кремния производства СБИС: Автореф. дис. ... … д-ра техн. наук. - М., 1996. - 30 с.
Сажнев С. В., Миркурбанов Х. А., Тимофеев В. Н. Состояние проблемы разработки эпитаксиальных установок//Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. 2003. № 4. С. 43-45.
Петров С. В., Сигалов Э. Б., Папков Н. С. Эпитаксиальные реакторы для различных областей полупроводникового производства//Электронная промышленность. 1990. № 3. С. 3-6.
Каблуков А. Л. Разработка и исследование агрегатов для проведения процесса газофазного осаждения эпитаксиальных слоев кремния на подложки большого диаметра: Автореф. дис. …... канд. техн. наук. - М., 2003. - 26 с.
Миркурбанов Х. А. Разработка реактора эпитаксиального наращивания одиночных подложек и исследование в нем теплофизических и физико-механических процессов: Автореф. дис.… ... канд. техн. наук. - М., 2004. - 27 c.
Тимофеев В. Н., Сажнев С. В., Миркурбанов Х. А. Расчет напряженно-деформированного состояния и оценка размеров зоны пластической деформации в полупроводниковой пластине при осесимметричном температурном нагружении//Материаловедение. 2002. № 9. С. 2-5.
Освеянский В. Б., Столяров О. Г., Мильвидский М. Г. Влияние заряженных примесей на пластичность полупроводниковых соединений AIIIBV//Физика твердого тела. 1968. № 10 (11). С. 20-24.
Трефилов В. И., Мильман Ю. В., Фирстов С. А. Физические основы прочности тугоплавких металлов. - Киев: Наукова думка, 1975. - 310 с.
Бернер Р., Кронмюллер Г. Пластическая деформация монокристаллов. - М.: Мир, 1969. - 270 с.
Стрельченко С. С., Матьяш А. А. Кинетика осаждения эпитаксиальных слоев соединений AIIIBV из газовой фазы//Обзоры по электротехнике. Материалы ЦНИИ "Электроника". 1979. Вып. 8 (678).
Бакин Н. Н., Борисенко Л. А. Гетероэпитаксия арсенида галлия на кремнии: Обзоры по электротехнике//Микроэлектроника. Материалы ЦНИИ "Электроника". 1989. Вып. 4 (472).
Сажнев С. В., Тимофеев В. Н., Миркурбанов Х. А. Методика оценки прочности щелевого реактора установки эпитаксиального наращивания единичных пластин//Изв. вузов. Сер. Электроника. 2004. № 5. С. 33-39.
- Купить
