Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ОРГАНИЗАЦИЯ МАССИВА ПАМЯТИ С ПРОИЗВОЛЬНЫМ ДОСТУПОМ НА ОСНОВЕ NAND-FLASH-ПАМЯТИ
- Авторы
- Макушев Д. Е. , , ,
Ухандеев В. И. , , ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2006 номер журнала 4 Страницы 63 - 68
- Индекс УДК
- УДК 004.087.2:004.072.4
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Рассмотрены особенности структуры массива памяти NAND-Flash и связанные с ними проблемы организации произвольного доступа. Предложен метод имитации произвольного доступа на основе дополнительной служебной информации и алгоритмов преобразования. Дан анализ факторов, влияющих на скорость работы, и способов повышения быстродействия. Приведена структура разделения алгоритмов по функциональному назначению.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
128 M ×8 Bit / 64 M × 16 Bit NAND-Flash Memory. - Samsung Electronics Co., LTD, 2004. - 40 р.
Flash/SmartMedia File System. - Memory Product & Technology Division, Samsung Electronics Co., LTD, 2000. - 17 р.
NAND-Flash ECC Algorithm (Error Checking & Correction). - Memory Product & Technology Division, Samsung electronics Co., LTD, 2004. - 8 р.
- Купить
