Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- РАДИАЦИОННО-ИНДУЦИРОВАННОЕ ГАЗОВОЕ СКАЛЫВАНИЕ КРЕМНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ "КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ"
- Авторы
- Бутывская М. В. , , ,
Мурашев В. Н. , д-р техн. наук, проф., академик РАИН, ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2006 номер журнала 3 Страницы 53 - 57
- Индекс УДК
- УДК 621.382.002
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Представлены результаты исследования возможности повышения эффективности радиационно-индуцированного газового скалывания кремниевых пластин в технологии создания структур "кремний на изоляторе" путем совмещения профилей энергетических радиационных повреждений и легирующей примеси при однокомпонентном облучении ионами водорода.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Реутов В. Ф., Ибрагимов Ш. Ш. Способ изготовления тонких пластин кремния: А. с. 1282757 СССР, 30.12.1983.
Bruel M. Patent 5 374 564, USA, 1995.
Bruel M. Silicon on insulator material technology//Electronics Letters. 1995. V. 31 № 14. Р. 1201-1202.
Usenko A. Y., Ulyashin A. G. Thiner Silicon-on-Insulator using plasma hydrogenation//Jpn. J. Appl. Phys. 2002. V. 41. Р. 5021-5023.
Agarwall A., Haynes T. E. and et al. Efficient production of silicon-on-insulator films by co-implantation of He+ with H+//Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72 (9). Р. 1086-1088.
Tong Q. Y., Scholz R., Gosele U. and et al. A "smart-cut" approach to low temperature silicon layer transfer//Ibid. V. 72 (1). P. 49-51.
Дмитриев С. Н., Реутов В. Ф., Бутывская М. В., Горнев Е. С., Дракин К. А. Заявка на изобретение 2005117828 с приоритетом от 09.06.2005 г.
- Купить
