Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ИССЛЕДОВАНИЯ И РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ МИКРОМЕХАНИКИ
- Авторы
- Тимошенков С. П. , д-р техн. наук, проф, ,
Калугин В. В. , д-р техн. наук, ,
Прокопьев Е. П. , канд. физ.-мат. наук, ст. науч. сотр, ,
Бритков О. М. , , ,
Зотов С. А. , канд. техн. наук, ,
Рубчиц В. Г. , с. н. с, ,
- В разделе
- МАШИНОСТРОЕНИЕ. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И МОДЕЛИРОВАНИЯ
- Ключевые слова
- Год
- 2006 номер журнала 2 Страницы 3 - 7
- Индекс УДК
- УДК 621:315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Предложены технологические процессы изготовления элементов микромеханики, режимы процессов анодного сращивания и эвтектической пайки. Описаны действующие макетные образцы микромеханического гироскопа и акселерометра.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Погалов А. И., Тимошенков В. П., Тимошенков С. П., Чаплыгин Ю. А. Разработка элементов МЭМС на основе многослойных структур//Микросистемная техника. - М., 1999. № 1. С. 55-62.
Мальцев П. П., Чаплыгин Ю. А., Тимошенков С. П. Перспективы развития технологии структур "кремний на изоляторе"//Известия вузов. Электроника. 1998. № 5. С. 5-9.
Зотов В. В., Миндеева А. А., Тимошенков В. П., Тимошенков С. П. Исследование датчика микроперемещений на основе МДП-транзистора//Сб. науч. трудов. Научные основы разработки новых технологий и технологического оборудования производства СБИС. - М.: МИЭТ, 1998. - 244 с.
Тимошенков С. П., Калугин В. В., Светлов-Прокопьев Е. П., Графутин В. И. Физико-химические основы производства микромеханических чувствительных элементов гироскопов и акселерометров: Научная сессия МИФИ-2004. IV Науч.-техн. конф. "Научно-инновационное сотрудничество"//Сб. науч. тр. Часть 2. - М.: МИФИ, 2004. С. 48-49.
Богданович Б. Ю., Графутин В. И., Калугин В. В., Нестерович А. В., Прокопьев Е. П., Тимошенков С. П., Чаплыгин Ю. А. Технологии и методы исследования структур "кремний на изоляторе". - М.: МИЭТ, 2003. - 288 с.
Stengl R., Tan T., Goesele U. A model for the silicon wafer bonding process//Japan J. Appl. Phys. 1989. V. 28. № 10. P. 1735-1741.
Тимошенков С. П., Прокопьев Е. П. Некоторые вопросы теории сращивания стандартных пластин кремния//Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. 1999. № 3. С. 35-44.
Schmidt B., Nitzsche P., Lange K., Grigull S., Kreissig U., Thomas B., Herzog K. In situ investigation of ion drift processes in glass during anodic bonding. Sensors and Actuators. A67, 1998. Р. 191-198.
Технология и конструкция полупроводниковых приборов. - М.: Энергия, 1970. - 470 с.
Яковлев Г. А., Чистяков Ю. Д., Сальников В. М., Сергатский В. И. Бесфлюсовая пайка в технологии сборки полупроводниковых приборов и интегральных схем // Обзоры по электронной технике. Серия. Технология, организация производства и оборудование. - М.: ЦНИИ "Электроника". 1983. Вып. 9 (963). С. 64.
- Купить
