Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СИНХРОНИЗАТОРА НА АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫХ ГЕТЕРОПЕРЕХОДНЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
- Авторы
- Тимошенков В. П. , канд. техн. наук, ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2006 номер журнала 2 Страницы 44 - 50
- Индекс УДК
- УДК 621.3.049.77.001
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Представлены результаты работы по проектированию интегральной схемы синхронизатора на основе гетеропереходных арсенид-галлиевых транзисторов. Предложена оригинальная схемотехника блоков, проведено компьютерное моделирование. Приведены данные экспериментальных исследований устройства для скорости передачи 12,5 Гбит/с, которые хорошо совпадают с результатами моделирования.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Pan N., Elliott J., Knowles M., Vu D. P. High Reliability InGaP/GaAs HBT//IEEE Electron Device Letters, V. 19, Issue. 4, Apr 1998. Р. 115-117.
Pan N., Welser R. E., Lutz C. R., Elliot J., Rodrigues J. P. Reliability of AlGaAs and InGaP Heterojunction Bipolar Transistors//IEICE Trans. Electron. November 1999. V. E82-C. № 11.
Adlerstein M. G., Gering J. M. Current induced degradation in GaAs HBT's//Electron Devices, IEEE Transactions on ED, Feb 2000. V. 47. Iss. 2. Р. 434-439.
Oka T., Hirata K., Takazawa H., Ohbu I. Hitachi Ltd. Characterization of InGaP/GaAs HBTs under Temperature and Current Stress //2000 GaAs MANTECH Digest. Р. 137-140.
Surridge R., Law J., Oliver B., Pakulski W., Strackholder H., Abou-Khalil M., Bonneville G. Nortel Networks Optical Components, Accelerated Reliability Testing of GaAs/InGaP HBTs, 2002 GaAs MANTECH Digest.
Sokolich M., Fields C., Shi B. et al. A low power 72.8 GHz static frequency divider implemented in AlInAs/InGaAs HBT IC technology//GaAs IC Symp. Dig., Seattle, WA, 2000. № 5-8. Р. 81-84.
DeLuca P. M., Lutz C. R., Welser R. E. et al. Imementation of Reduced Turn-On Voltage InGaP HBTs Using Graded GaInAsN Base Regions//IEEE Electron Device Letters, October 2002. V. 23. № 10. Р. 81-84.
Cherry E. M., Hooper D. E. The design of wide-band transistor feedback amplifiers//Proc. IEEE, February, 1963. V. 110. Р. 375-389.
- Купить
