Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ОСОБЕННОСТИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОФОРМИРУЕМЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР НА КРЕМНИИ Часть I. (Часть II будет опубликована в следующих номерах журнала.)
- Авторы
- Сауров А. Н. , д-р техн. наук, проф, ,
Голишников А. А. , канд. техн. наук, ,
Демидова Ю. Б. , канд. техн. наук, ,
Луканов Н. М. , д-р техн. наук, ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2005 номер журнала 4 Страницы 73 - 77
- Индекс УДК
- УДК 621.3.049.77
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Дано описание конструктивно-технологических особенностей формирования СВЧ-транзисторных структур (ТС) на чистом кремнии с низкоомными сплошными скрытыми слоями. Приведен краткий технологический маршрут изготовления структур с применением новых методов целенаправленного формирования точно локализованных субмикронных элементов.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Луканова Н. Н., Луканов Н. М. Конструктивно-топологическое проектирование самосовмещающихся субмикронных сверхтонкослойных транзисторных структур с улучшенными параметрами // Сб. науч. тр. МИЭТ "Физика, технология и схемотехника СБИС". - М.: МИЭТ. Зеленоград, 1989. С. 80-93.
Lukanov N. M. et al. Bipolar VLSI based on self-aligned transistor structures // Electronic Engineering. Series Microelectronics. Russia. Zelenograd, Scientific Center. 1991. № 1 (1). P. 54-55.
3.0 GHz wideband silicon RFIC amplifier INA-32063. HP/Agilent Technologies // http://literature agilent.com/litweb/pdf /5967-5769E.pdf
Washio K., Ohue E., Oda K. et al. 95 GHz fT self-aligned selective epitaxial SiGe HBT with SMI electrodes//1998 IEEE International Solid-State Circuits Conf. P. 312 -313.
Галушков А. И., Демидова Ю. Б., Луканов Н. М., Сауров А. Н. Би-КМОП технологии, использующие методы самосовмещения и самоформирования//Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. - М.: ФГУП "ВИМИ", 2001. № 2. С. 8-20.
Галушков А. И., Кудрявцев А. Н., Луканов Н. М., Сауров А. Н. Вертикально-интегрированные транзисторные структуры для сверхбыстродействующих ИС // Микроэлектроника и информатика-97: Межвуз. науч.-техн. конф. Ч. I. - М.: МИЭТ, Зеленоград, март 1997. С. 28.
Галушков А. И., Кривошеина Т. Г., Кудрявцев А. Н., Луканов Н. М., Романов И. М. Оптимизация распределений концентрации легирующих примесей в тонкослойных и сверхтонкослойных транзисторных структурах // Там же. C. 27.
Кудрявцев А. Н., Луканов Н. М., Сауров А. Н. Особенности изготовления субмикронных трехмерных вертикально-интегрированных сверхтонкослойных транзисторных структур//Электроника и информатика-97: Вторая Всерос. науч.-техн. конф. с междунар. участием. Ч. I. - М.: МИЭТ. Зеленоград, 25-26 ноября 1997. C. 178-179.
Галушков А. И., Демидова Ю. Б., Кудрявцев А. Н., Луканов Н. М., Сауров А. Н. Высокоэффективная сверхсамосовмещенная Би-КМОП технология // Всерос. науч.-техн. конф. микро- и наноэлектроника-98. Т. 1. № доклада Р1-64. - Звенигород, пансионат "Липки", 1998.
Демидова Ю. Б., Луканов Н. М., Сауров А. Н. Методы самосовмещения и самоформирования для изготовления трехмерных элементов микроэлектроники // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Тр. шестой междунар. науч.-техн. конф./Таганрогский гос. радиотехн. ун-т. - Дивноморское, Россия, 6-11 сентября 1999. C. 12.
Галушков А. И., Демидова Ю. Б., Луканов Н. М., Путря М. Г., Рыбачек Е. Н. Влияние маскирующих слоев на геометрические параметры трехмерных элементов СБИС при реактивно-ионном травлении //Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России, 2001. № 1. С. 7-11.
Демидова Ю. Б., Луканов Н. М. Формирование транзисторных структур с наклонными элементами//Электроника и информатика XXI век", 2000.
Луканов Н. М., Демидова Ю. Б. Сравнительный анализ конструктивно-технологических базисов изготовления биполярных транзисторных структур//Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Тр. седьмой междунар. науч.-техн. конф./Таганрогский гос. радиотехн. ун-т. - Дивноморское, Россия, сентябрь 2000.
Демидова Ю. Б., Луканов Н. М., Метельков П. В., Сауров А. Н. Конструктивно-технологический базис СВЧ сверхинтегрированных структур и микросхем радиочастотного диапазона на кремнии// Изв. вузов. Сер. Электроника. 2003. № 2. С. 25-31.
Демидова Ю. Б., Луканов Н. М., Метельков П. В., Сауров А. Н. Конструктивно-технологический базис для проектирования и изготовления на кремнии СВЧ-сверхинтегрированных структур и микросхем радиочастотного диапазона//Электроника и информатика-2002: Четвертая междунар. науч.-техн. конф., МИЭТ, 19-21 ноября 2002. С. 52-53.
- Купить
