Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- РАЗРАБОТКА МАКЕТА ИМПЛАНТЕРА ДЛЯ ИМПЛАНТАЦИИ ПРОТОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛАСТИНЫ В ЦЕЛЯХ СОЗДАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР
- Авторы
- Тимошенков С. П. , д-р техн. наук, проф, ,
Калугин В. В. , д-р техн. наук, ,
Графутин В. И. , канд. физ.-мат. наук, ст. науч. сотр, ,
Прокопьев Е. П. , канд. физ.-мат. наук, ст. науч. сотр, ,
Бритков О. М. , , ,
Захаров А. А. , , ,
Лапицкий Ю. Я. , канд. техн. наук, ,
Стасевич Ю. Б. , , ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2005 номер журнала 3 Страницы 28 - 32
- Индекс УДК
- УДК 621.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Представлены результаты исследований и разработки макета имплантера для имплантации протонов в полупроводниковые пластины с целью производства структур кремний на изоляторе (КНИ) и других многослойных структур в рамках smart-cut-технологии сращивания стандартных пластин кремния и других полупроводников. Получено равномерное облучение пластин кремния на площади в виде эллипса с осями 60 и 40 мм.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Суворов А. Л., Графутин В. И., Залужный А. Г., Козодаев М. А., Прокопьев Е. П., Шарков Б. Ю., Чаплыгин Ю. А., Тимошенков С. П., Реутов В. Ф. Технология сращивания пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методами молекулярного наслаивания и газового скалывания//Атомная энергия. 2001. Т. 91. Вып. 4. С. 255-263.
Богданович Б. Ю., Графутин В. И., Калугин В. В., Нестерович А. В., Прокопьев Е. П., Тимошенков С. П., Чаплыгин Ю. А. Технологии и методы исследования структур кремний на изоляторе: Монография. - М.: МИЭТ, 2003. - 288 с.
Суворов А. Л., Графутин В. И., Залужный А. Г., Козодаев М. А., Калугин В. В., Прокопьев Е. П., Шарков Б. Ю., Чаплыгин Ю. А., Тимошенков С. П. Физико-химические основы получения структур кремний на изоляторе с использованием метода газового скалывания//Перспективные материалы. - М.: Российская академия наук. 2002. № 3. С. 5-12.
Богданович Б. Ю., Нестерович А. В., Тимошенков С. П., Графутин В. И., Прокопьев Е. П., Алферов П. В., Калугин В. В., Лапицкий Ю. Я., Стасевич Б. Ю. Возможности создания источников ионов водорода для технологических установок имплантации протонов в полупроводниковые пластины большого диаметра в целях создания многослойных структур//Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. - М.: ФГУП "ВИМИ", 2004. № 1. С. 55-61.
Тимошенков С. П., Лапицкий Ю. Я., Графутин В. И., Прокопьев Е. П., Калугин В. В., Стасевич Ю. Б., Захаров А. А. Разработка источников ионов водорода для имплантации протонов в полупроводниковые пластины в целях создания многослойных структур//Там же. № 4. С. 45-49.
Timoshenkov S. P., Prokop'ev E. P., Grafutin V. I. About a Possibility of Usage of Smart-Cut Process for Obtaining of Thin Monocrystalline Silicon Carbide Layers//Abstracts of the IV International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials. - May 30-31, 2002. - 30 p. (International seminar "Silicon Carbide and Related Materials" (ISSCRM-2002). Great Novgorod, May 30-31, 2002, Novgorod Yaroslav Mudryi State University, 2002).
Суворов А. Л., Прокопьев Е. П., Тимошенков С. П., Графутин В. И., Залужный Г. Smart-cut технологии связывания (сращивания) протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками в целях получения структур кремний на изоляторе, многослойных структур Ge/Si, (GexSi1-x)/Si и тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников A3B5 и A2B6 для производства новой элементной базы опто-, нано- и микроэлектроники, создания современных суперкомпьютеров, специальных интегральных схем и приборов, микромеханических устройств, сенсоров, датчиков и солнечных элементов//Вопросы атомной науки и техники (ВАНТ). - Саров, 2002. Вып. 1, 2. С. 217-219.
Графутин В. И., Залужный А. Г., Прокопьев Е. П., Реутов В. Ф., Суворов А. Л., Тимошенков С. П., Шарков Б. Ю., Чаплыгин Ю. А. Основы технологии связывания (сращивания) протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками в целях получения структур кремний на изоляторе, многослойных структур Ge/Si, (GexSi1-x)/Si и тонких монокристаллических слоев кремния и германия, полупроводников A3B5 и A2B6 для производства новой элементной базы опто-, нано- и микроэлектроники, создания современных суперкомпьютеров, специальных ИС и приборов, микромеханических устройств, сенсоров и датчиков и солнечных элементов: Тр. науч.-техн……. конф. "Новые технологии и научно-технические достижения промышленности - человеку, обществу, государству//Журнал депонированных рукописей. - М.: ПРОМТЕХЭКСПО XXI. 2001. № 9. Октябрь. - 60 с.
Богданович Б. Ю., Нестерович А. В., Тимошенков С. П., Графутин В. И., Прокопьев Е. П., Алферов П. В., Калугин В. В., Лапицкий Ю. Я. Возможность создания источников ионов водорода для технологических установок имплантации протонов в полупроводниковые пластины большого диаметра в целях создания многослойных структур: Матер. 16-й Междунар. конф. "Взаимодействие ионов с поверхностью, ВИП-2003". - Звенигород. 2003. С. 318-320.
Ауслендер В. Л., Лазарев. В. Н., Панфилов А. Д.//Приборы и техника эксперимента. - М., 1979. № 4. С. 33.
- Купить
