Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- КОНСТРУКЦИЯ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНОГО НАНОТРАНЗИСТОРА С ОКРУЖНЫМ ЗАТВОРОМ
- Авторы
- Кузнецов Е. В. , , ,
Рыбачек Е. Н. , канд. техн. наук, ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2005 номер журнала 3 Страницы 35 - 37
- Индекс УДК
- УДК 621.3.049.77
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Предложены конструкция и способ изготовления самосовмещенного планарного нанотранзистора с окружным затвором, который реализуется на подложках типа кремний на изоляторе (КНИ). В качестве основного принципа совмещения используется ионное легирование фтором скрытого окисла через рабочий слой кремния под затворными областями.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Wong H.-S. P. Beyond the conventional transistor//IBM J. RES. & DEV. March/May 2002. V. 46. № 2/3.
Hook T. B., Adler E. The Effects of Fluorine on Parametrics and Reliability in a 0,18mk 3,5/6,8nm Dual gate oxide CMOS Technology//IEEE Transaction on Electron Devices. July 2001. V. 48. № 7.
- Купить
