Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ПЕРСПЕКТИВНАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА КМОП ИС
- Авторы
- Кузнецов Е. В. , , ,
Сопова О. В. , , ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2005 номер журнала 3 Страницы 47 - 51
- Индекс УДК
- УДК 621.382
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Рассмотрены основные ограничения для процесса дальнейшей миниатюризации КМОП-транзисторов, которые ведут к необходимости поиска новаторских решений в технологии. Проведен анализ способов, позволяющих обойти эти ограничения, используя традиционные кремниевые технологии (подложки КНИ, двух- и трехзатворные транзисторы, транзистор с кольцевым затвором) и новые материалы (углерод, алмаз). С помощью приборно-технологического моделирования исследован механизм переноса носителей в двухзатворном МОП-транзисторе, позволяющий использовать его баллистические свойства для создания перспективной элементной базы.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Frank D., Wong H.-S. P. Analysis of the Design Space Available for high-k Gate Dielectric in Nanoscale MOSFETs//Proc. of the IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, 2000.
Lu Q., Lin R., Ranade P., King T.-J. Metal Gate Workfunction Adjustment for Future CMOS Techno-logy//VLSI, 2001.
Plummer J. D. et al. Material and process limits in silicon VLSI technology//Proc. of the IEEE, 2001. V. 89. № 3.
Gusev E., Cartier E., Buchanan D., Gribelyuk M., Copel M., Okorn-Schmidt H., D'Emic C. Ultra High-k Metal Oxides on Silicon: Processing, Characterization, and Integration Issues//Proc. of the Conference on Insulating Films on Semiconductors, 2001.
Sherony M., Su L., Chung J., Antoniadis D. SOI MOSFET Effective Channel Mobility//IEEE Trans. Electron Devices, 1994.
Ernst T., Munteanu D., Cristoloveanu S., et al. Investigation of SOI MOSFETs with Ultimate Thickness//Microelectron. Eng., 1999.
Wong H.-S. P. Beyond the conventional transistor//IBM J. Res. & Dev. March/May 2002. V. 46. № 2/3.
Wong H.-S., et al. Design and Performance Considerations for Sub-0.1_m Double-Gate SOI MOSFET's//IEDM, 1994.
Guo G., Lundstrom M. Nanoscale Transistors: Device Physics, Modeling, and Simulation; Purdue University, USA, 2002.
Leland Chang. Ballistic transport in Silicon MOSFET's; Physics 250 Term Paper, Professor Peter Yu, 2000.
Fischetti M., Laux S. Band Structure, Deformation Potentials, and Carrier Mobility in Strained Si, Ge, and SiGe Alloys//J. Appl. Phys., 1996. V. 80.
Ronsheim P., Ieong M., Grill A., and Wong H.-S. P. Strained Si NMOSFETs for High Performance CMOS Technology//VLSI, 2001.
Chang L., Tang S., et al. Gate Length Scaling and Threshold Voltage Control of Double-Gate MOSFETs//IEDM, 2000.
Tans S. J., Dekker C., et al. Room-Temperature Transistor Based on a Single Carbon Nanotube// Nature, 1998.
Dresselhaus M., Dresselhaus G., Avouris P. Carbon Nanotubes: Synthesis, Structure, Properties, and Applications; Springer-Verlag, New York, 2001.
www.science.org
Shōn J. H., Meng H., Bao Z. Self-assembled monolayer organic field-effect transistors//Nature, 2001.
- Купить
