Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ОТЖИГ В ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ НИТРИДОВ АЛЮМИНИЯ И ГАЛЛИЯ
- Авторы
- Смирнов В. В. , канд. техн. наук, ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2004 номер журнала 4 Страницы 49 - 53
- Индекс УДК
- УДК 621.315.59
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Приведены результаты исследований влияния температуры, времени, атмосферы отжига на кинетику изменения структурных свойств пленок AlN и GaN, выращенных на подложках (0001) Al2O3 и () Al2O3.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Точицкий Э. И. Кристаллизация и обработка тонких пленок. - Минск: Наука и техника, 1976. - 376 с.
Добрынин А. В., Смирнов В. В. Термодинамический анализ осаждения из газовой фазы псевдобинарных растворов нитридов алюминия-галлия // Сб. тез. докл. IV Всес. конф. "Термодинамика и материаловедение полупроводников". - М.: МИЭТ, 1989. Т. 1. С. 190-191.
Жукова Л. А., Гуревич М. А. Электрография поверхностных слоев и пленок полупроводниковых материалов. - М.: Металлургия, 1971. - 174 с.
Афанасьев А. М., Александров П. А., Имамов Р. М. Рентгеновская структурная диагностика в исследовании приповерхностных слоев монокристаллов. - М.: Наука, 1986. - 93 с.
Баровский Н. В., Найда Г. А, Смирнов В. В. Особенности гетероэпитаксии нитридов алюминия и галлия на сапфире // Известия вузов. Сер. Электроника, 2001. № 5. С. 17-22.
Смирнов В. В., Малюков Б. А., Хашимов Ф. Р., Чаплыгин Г. В., Щелоков А. Н. Эффект кристаллографической разориентации при гетероэпитаксии: Матер. VII Междунар. конф. по микроэлектронике "Микроэлектроника-90". - Минск, 1990. Т. 1. С. 94.
Furtado M., Jacob G. Study on the influence of annealing effects in GaN VPE// J. Cryst. Growth. 1983. V. 64. № 2. P. 2281-2283.
Макаров С. И., Журавлева Л. М., Матяш А. А. Влияние спонтанной кристаллизации на свойства слоев GaN // Электронная техника. Сер. Материалы, 1977. Вып. 7 (110). С. 39-41.
- Купить
