Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ТРЕХКОЛЛЕКТОРНОГО БИПОЛЯРНОГО МАГНИТОТРАНЗИСТОРА
- Авторы
- Тихонов Р. Д. , канд. техн. наук, ,
Козлов А. В. , магистр, ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2004 номер журнала 4 Страницы 57 - 62
- Индекс УДК
- УДК 681.586.78.049.77:53.072:681.3
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- С помощью приборно-технологического моделирования исследован латеральный биполярный магнитотранзистор (БМТ), сформированный в кармане при внешнем соединении подложки с карманом. Показано, что в оптимизированной структуре БМТ происходят формирование потоков носителей заряда и их объемная рекомбинация, которые изменяются при воздействии магнитного поля. Возникновение концентрационно-рекомбинационной чувствительности БМТ дает обоснование механизму возникновения двух знаков относительной магниточувствительности по току. Выбор параметров структуры и режима работы БМТ в соответствии с установленным механизмом чувствительности позволяет повысить относительную чувствительность по току до 30 Т-1.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Hudson E. C./Semiconductive magnetic transducer// Patent US 3,389,230, 1968.
Митникова И. М., Персиянов Т. В., Рекалова Г. И., Штюбнер Г. А. Исследование характеристик кремниевых боковых магнитотранзисторов с двумя измерительными коллекторами//ФТП, 1978. Т. 12. № 1. С. 48-50.
Popovic R. S., Baltes H. P. Dual-collector magnetotransistor optimized with respect to injection modulation//Sensor and Actuators. 1983. V. 4. Р. 155-163.
Балтес Г. П., Попович Р. С. Интегральные полупроводниковые датчики магнитного поля// ТИИЭР. 1986. Т. 74. № 8. С. 60-90.
Амеличев В. В., Галушков А. И., Зубенко Ф. Г., Чаплыгин Ю. А. Биполярный магнитотранзистор, изготовленный по самосовмещенной КМОП-технологии//Электронная промышленность. 1992. № 3. С. 58-59.
Королев М. А., Чаплыгин Ю. А., Амеличев В. В., Тихонов Р. Д., Шорин М. В. Исследование возможности повышения чувствительности биполярных латеральных магниточувствительных транзисторов//Известия вузов. Электроника. 2002. № 1. С. 40-43.
Тихонов Р. Д., Королев М. А., Смирнов С. Ю., Чаплыгин Ю. А. Оптимизация структуры планарного биполярного магниточувствительного транзистора//Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. 2003. № 3. С. 66-70.
Козлов А. В., Ревелева М. А., Тихонов Р. Д. Механизм возникновения отрицательной относительной чувствительности по току латеральных биполярных магниточувствительных транзисторов// Известия вузов. Электроника. 2003. № 5. С. 57-62.
Козлов А. В., Ревелева М. А., Тихонов Р. Д. Исследование токов и относительной чувствительности по току биполярного магнитотранзистора//Микроэлектроника. 2003. Т. 32. № 6. С. 474-480.
Козлов А. В., Королев М. А., Смирнов С. Ю., Чаплыгин Ю. А., Тихонов Р. Д. Исследование механизмов преобразования и относительной магниточувствительности трехколлекторного биполярного магнитотранзистора// Там же. № 3. С. 219-225.
Амеличев В. В., Галушков А. И., Миргородский Ю. Н., Тихомиров П. А., Чаплыгин Ю. А., Шорин М. В., Шубин С. В. Моделирование биполярного двухколлекторного магнитотранзистора и определение режима термокомпенсации изменения чувствительности//Датчики и системы. 1999. № 6. С. 38-42.
Викулин И. М., Стафеев В. И. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Радио и связь. 1990. С. 228.
Бараночников М. Л. Микромагнитоэлектроника. - М.: ДМК Пресс, 2001.
Глауберман М. А., Егоров В. В., Козел В. В., Канищева Н. А. Исследование магниточувствительности транзисторных структур с диффузионным переносом инжектированных носителей//Физика и техника полупроводников, 2003. Т. 37. Вып. 1. С. 32-37.
Абакумов А. А., Амеличев В. В., Галушков А. И., Чаплыгин Ю. А., Шубин С. В. Интегральная магниточувствительная матрица//Патент 2140117 РФ, 1999.
- Купить
