Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- МЕТОД УВЕЛИЧЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ nМОП КНИ ТРАНЗИСТОРА К НАКОПЛЕННОЙ ДОЗЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ
- Авторы
- Кузнецов Е. В. , , ,
Рыбачек Е. Н. , канд. техн. наук, ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2004 номер журнала 2 Страницы 44 - 47
- Индекс УДК
- УДК 621.382.049.77.002
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Предложен и исследован метод увеличения радиационной стойкости КМОП ИС КНИ к ионизирующему излучению (ИИ), заключающийся в ионном легировании фтором границы раздела скрытого окисла через рабочий слой кремния. Данный метод не ухудшает характеристики активного транзистора, приводит к увеличению порогового напряжения и уменьшению чувствительности к ИИ "обратного" транзистора. В результате проведенных исследований были получены действующие образцы КМОП-схем, сохраняющие работоспособность при уровне радиационной нагрузки более 1 Мрад.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Никифоров А. Ю., Телец В. А, Чумаков А. И. Радиационные эффекты в КМОП ИС. - М.: Радио и связь, 1994. С. 7-10.
Кузнецов Е. В., Сопова О. В. Оптимизация распределения примеси в канале nМОП-транзистора, изготовленного по КНИ-технологии, с помощью программного средства для численного моделирования "MINIMOS МНЭ-2001". - М.: Звенигород, пан. "Липки", 10.2001 г., Р3-19.
Патент 5.795.813 США.
Hook T. B., Adler E. The Effects of Fluorine on Parametrics and Reliability in a 0,18 mk 3,5/6,8 nm Dual gate oxide CMOS Technology// IEEE Transaction on Electron Devices. 2001. V. 48. ¹ 7. July.
Å. da Silva, Nishioka Y., Wang Y. and Ma T. Dramatic improvement of hot-carrier-induced interface degradation in MOS structures containing F or Cl in SiO// IEEE Electron Device Lett. 1988. V. 9. Ð. 38-40. Jan.
Ma Ò. Metal-oxide-semiconductor gate oxide reliability and the role of fluorine// J. Vac. Sci. Technol. A. 1992. V. 10. ¹. 4. Ð. 469-471.
Wright Ð. et al. Hot-electron immunity of SiO2 dielectrics with fluorine in corporation// IEEE Electron Device Lett. 1989. V. 10. Ð. 347-348. Aug.
Wright P. J., Saraswat K. C The Effect of Fluorine in Silicon Dioxide Gate Dielectrics// IEEE Transaction on Electron Devices, 1989. V. 36. ¹. 5. May.
Тарасенков А. Н., Герасименко Н. Н., Кузнецов Е. В., Денисенко Э. Ю. Изменение свойства подзатворного окисла при использовании ионов BF2+ при создании р-канальных транзисторов: Тр. четвертой Междунар. науч.-техн. конф. "Электроника и информатика-2002". - М., МИЭТ, ноябрь 2002. С. 52-53.
Chowdhury Ð. et al. Improvement of ultra thin gate oxide and oxynitride integrity using fluorine implantation technique// Appl. Phys. Lett. 1997. V. 70. ¹ 1. Ð. 37-39.
Liu S. T., Jenkins W. C., Hughes H. L. "Radiation respod of SOI material": Proceedings Of The Ninth International Symposium On Silicon-On-Insulator Technology And Devices. Electrochemical Society Proceeding Volume 99-3. Р. 225-228.
Bauza D. and Ghibaudo G.// Microelectronics Journal, 1994. № 25. Ð. 41-44.
- Купить
