Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ВОЗМОЖНОСТИ СОЗДАНИЯ ИСТОЧНИКОВ ИОНОВ ВОДОРОДА ДЛЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ УСТАНОВОК ИМПЛАНТАЦИИ ПРОТОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛАСТИНЫ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА В ЦЕЛЯХ СОЗДАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР
- Авторы
- Тимошенков С. П. , д-р техн. наук, проф, ,
Калугин В. В. , д-р техн. наук, ,
Графутин В. И. , канд. физ.-мат. наук, ст. науч. сотр, ,
Прокопьев Е. П. , канд. физ.-мат. наук, ст. науч. сотр, ,
Лапицкий Ю. Я. , канд. техн. наук, ,
Стасевич Б. Ю. , , ,
Богданович Б. Ю. , д-р физ.-мат. наук, проф, ,
Нестерович А. В. , д-р физ.-мат. наук, проф, ,
Алферов П. В. , , ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2004 номер журнала 1 Страницы 55 - 61
- Индекс УДК
- УДК 621.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Предложен новый модифицированный импульсный источник ионов водорода для проведения работ в области радиационной физики и имплантации протонов в пластины большого диаметра в технологии сращивания стандартных пластин кремния и других полупроводников в целях производства структур кремний на изоляторе, многослойных структур и тонких монокристаллических слоев полупроводников с использованием методов термообработки в условиях влажной атмосферы и газового скалывания (с использованием метода молекулярного наслаивания) методом облучения ионами водорода (гелия) образцов в процессе термообработки.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Суворов А. Л., Графутин В. И., Залужный А. Г. и др. Технология сращивания пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методами молекулярного наслаивания и газового скалывания // Атомная энергия. 2001. Т. 91. Вып.4. С. 255-263.
Ïрокопьев Е. П., Тимошенков С. П., Суворов A. Л. и др. Smart-cut-технология получения структур КНИ во влажных условиях c использованием методов химической сборки поверхности. I. Модель сращивания пластин кремния по данным выделения паров воды//Материаловедение. 2002. № 3. С. 11-20.
Прокопьев Е. П., Тимошенков С. П., Суворов A. Л. и др. Smart-cut-технология получения структур КНИ во влажных условиях c использованием методов химической сборки поверхности. II. Теория и экспериментальные результаты//Òàì æå. № 4. С. 10-20.
Богданович Б. Ю., Графутин В. И., Залужный А. Г. и др. Технологии и методы исследования структур кремний на изоляторе. - М.: МИФИ, 2003. - 288 с.
Тимошенков С. П. Прокопьев Е. П. Особенности процесса прямого соединения пластин кремния// Материаловедение. 1999. № 5. С. 43-45.
Тимошенков С. П., Прокопьев Е. П., Дягилев В. В. О движении и залечивании пор и полостей вблизи границы сращивания стандартных пластин кремния//Известия вузов. Сер. Электроника. 1998. № 5. С. 39 44.
Прокопьев Е. П., Тимошенков С. П. Осаждение материалов на стенках пор и капилляров из парогазовых смесей//Теоретические основы химической технологии. 2001. Т. 35. № 1. С. 80-84.
Прокопьев Е. П., Тимошенков С. П. Возможность прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания//Материаловедение. 1999. № 4. С.49-51.
Суворов А. Л., Графутин В. И., Залужный А. Г. и др. Физико-химические основы получения структур кремний на изоляторе с использованием метода газового скалывания//Перспективные материалы. 2002. № 3. С. 5-12.
Прокопьев Е. П., Тимошенков С. П. К вопросу определения энергии связи прямого соединения пластин кремния методом генерации (вскрытия) трещины между поверхностями сращивания//Материаловедение. 2000. № 8. С. 25-28.
Прокопьев Е. П., Тимошенков С. П. Модель прямого низкотемпературного соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания (обзор)//Там же. 2001. № 1. С. 44-52.
Timoshenkov S. P., Prokopiev E. P. Possibility of silicon wafers bonding with chemical assembling of surface by molecular layers arrangement method. Abstracts on NATO Advanced Research Workshop (NATO ARW). - Ukraine. Kyiv, October 2-5, 2000. Р. 23-24.
Прокопьев Е. П., Тимошенков С. П., Суворов А. Л. др. Особенности технологии изготовления КНИ структур прямым сращиванием пластин кремния и контроля их качества: Препринт ИТЭФ 24-00. - M. 2000. 20 с.
Суворов А. Л., Чаплыгин Ю. А., Тимошенков С. П., Графутин В. И., Дьячков С. А., Залужный А. Г., Калугин В. В., Прокопьев Е. П., Реутов В. Ф., Шарков Б. Ю. Анализ преимуществ, перспектив применений и технологий производства структур КНИ: Препринт ИТЭФ 27-00. - М., 2000. - 51 с.
Суворов А. Л., Чаплыгин Ю. А., Тимошенков С. П. и др. Smart-cut технология получения структур КНИ с использованием методов химической сборки поверхности. Научная сессия МИФИ-2001 г.// Сб. науч. тр. Т. 9. - М.: МИФИ, 2001. C. 22, 23.
Суворов А. Л., Чаплыгин Ю. А., Тимошенков С. П. и др. Радиационные свойства smart-cut структур КНИ. Научная сессия МИФИ-2001 г.//Там же. C.24, 25.
Timoshenkov S. P., Prokopiev E. P., Zaluzhnyi A. G., Grafutin V. I., Suvorov A. L., Sharkov B. Yu. Peculiarities of silicon-on-insulator structures manufacturung. Report on 4-th Moscow International ITEP School of Physics (29-th ITEP Winter School of Physics). Modern Condensed Matter Physics: Experimental Methods and Devices, Related Topics. - Zvenigorod, Moscow, February 5-16, 2001; Proceedings of the 4th Moscow International ITEP School of Physics. Editors: A. L. Suvorov, Yu. G. Abov, V. G. Firsov. Академпринт, 2002. Ñ. 274-280.
Прокопьев Е. П., Тимошенков С. П., Григорьев Д. К., и др. Научные основы технологии структур кремний на изоляторе//Петербургский журнал электроники. 2002. № 2. С. 15-28; № 3. С. 16-32.
Калугин В. В., Прокопьев Е. П., Тимошенков С. П. О технологии структур кремний на изоляторе// Химическая технология. 2002. № 12. С. 3-12 (см. также http://www.prokopep.narod.ru/).
Графутин В. И., Залужный А. Г., Прокопьев Е. П. и др. Сращивание протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками для получения структур кремния на изоляторе. Научная сессия МИФИ-2002: Науч.-техн. конф. "Научно-инновационное сотрудничество"//Сб. науч. тр. Ч. 3. - М.: МИФИ, 2002. С. 39-41.
Графутин В. И., Залужный А. Г., Прокопьев Е. П. и др. Получение тонких слоев кремния на изоляторе (КНИ) для солнечных элементов. Научная сессия МИФИ-2002: Науч.-техн. конф. "Научно-инновационное сотрудничество"// Там же. С. 64, 65.
Графутин В. И., Залужный А. Г., Прокопьев Е. П., и др. Получение структур кремния на изоляторе методом газового скалывания для создания интегральных схем с повышенной радиационной и термической стойкостью. Научная сессия МИФИ-2002: Науч.-техн. конф. "Научно-инновационное сотрудничество"// Сб. науч. тр. Ч. 3. - М.: МИФИ, 2002. С. 37, 38.
Лапицкий Ю. Я. О плазменной границе ионного источника//ПТЭ. 1970. № 2. С. 37.
Лапицкий Ю. Я. Усовершенствование электростатического инжектора протонного синхротрона на 70 ГэВ и разработка импульсных протонных источников с большим током: Дис. ... на соискание ученой степени канд. техн. наук. - М., 1971. С. 58, 75.
Ауслендер В. Л., Лазарев В. Н., Панфилов А. Д.// ПТЭ. 1979. № 4. С. 33.
- Купить
