Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ФОРМИРОВАНИE КОНТАКТОВ ШОТТКИ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА GaAs
- Авторы
- Беспалов В. А. , канд. техн. наук, ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2004 номер журнала 1 Страницы 68 - 71
- Индекс УДК
- УДК 621.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Показано, что для получения оптимальных характеристик контактов транзистора с барьером Шоттки необходим совмещенный процесс, включающий следующие стадии: ионно-лучевое травление GaAs с энергией ионов Ar, Xe ~50-100 эВ в галогеносодержащей среде, нанесение контактного покрытия и последующий фотонный отжиг для устранения радиационных нарушений.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Игумнов Д. В., Костюнина Г. П. Полупроводниковые усилительные устройства. - М.: Радио и связь, 1997. - 268 c.
Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ/Под. ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола. - М: Радио и связь, 1988. - 496 с.
Long S. I., Butner S. E. Galium Arsenide Digital Integrated Circuit Design. - USA: McGraw - Hill Publishing Company, 1990. - 486 c.
Wang Y. X., Holloway P. Н. Effect of ion sputtering on the interfase properties og Au/n-GaAs (100) Shottby contacts//J. Vac. Sci. Technol., 1984. № 2. P. 567-568.
Беспалов В. А. Совмещенный процесс формирования канала полевого транзистора с барьером Шоттки на GaAs: Тез. докл. IV Междунар. науч.-техн. конф. "Электроника и Информатика-2002" - М.: МИЭТ. 2002. Ч 1. C. 35.
Неустроев С. A., Башкин M. О., Беспалов В. А. и др. Взаимосвязь высоты барьера Шоттки и состава поверхностных слоев арсенида галлия при ионно-лучевом воздействии: Тез. докл. на конф. "Современные проблемы информатики и вычислительной техники и автоматизации". - М., 1988. С. 35-36.
- Купить
