Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ФОРМИРОВАНИЕ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К СЛОЯМ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
- Авторы
- Беспалов В. А. , канд. техн. наук, ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2004 номер журнала 1 Страницы 71 - 73
- Индекс УДК
- УДК 621.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Разработан способ формирования омических контактов к слоям GaAs, AlGaAs, позволивший снизить разброс и значение контактного сопротивления.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Шур М. Современные приборы на основе AsGa: Пер. c англ. - М.: Мир, 1991. - 632 c.
Лапшинов Б. А., Камнев А. Б., Кравченко Л. Н., Оплеснин В. А. Омические контакты к арсениду галлия в системе Ni/AuGe//Зарубежная электронная техника, 1987. № 5. С. 58-74.
Bose A., Henderson H. T. Ohmic Contact Formation in Semi-Insulating GaAs Vsing Shallow Heavily Doped p-Type Layers//J. Electrochim. Soc.: Solid-State Science and Technology, 1987. V. 134. № 9. P. 2372-2374.
Беспалов В. А. Технология формирования омических контактов к слоям GaAs и AlGaAs ИК-фотоприемников: Тез. докл. IV Междунар. науч.-технич. конф. "Электроника и Информатика-2002". - М.: МИЭТ. 2002. Ч. 1. C. 34.
Popovic R. S. Metal N-type semiconductor ohmic contact with a shallow N surface layer//Solid State Electronics, 1978. V. 21. P. 1133 1138.
- Купить
