Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ВЛИЯНИЕ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА КОНЦЕНТРАЦИЮ И ТИП ПРИМЕСЕЙ В СЛОЯХ GaAs<Mn> и AlGaAs <Mn>
- Авторы
- Беспалов В. А. , канд. техн. наук, ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2004 номер журнала 1 Страницы 74 - 77
- Индекс УДК
- УДК 621.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Одним из наиболее перспективных способов стабилизации низкого значения концентрации фоновых примесей (Nd) в фоточувствительных слоях GaAs<Mn> и AlGaAs <Mn> является легирование раствора-расплава редкоземельными элементами (РЗЭ). Предложен способ снижения значения Nd, заключающийся в дополнительном легировании раствора-pacплава РЗЭ, позволяющий повысить эффективность выхода на заданно низкое (Nd ≤1015 см-3) значение фоновой концентрации.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
InGaAs/InP floating guard ring avalanche photodiodes fabricated by double diffusion / D. Ackley, J. Hladky, M. Lange et al.//IEEE Photonics Techn. Letts. 1990. V. 2. № 8. P. 571-573.
Алферов Ж. И., Гореленок А. Т., Каманин А. В. и др. Двумерный электронный газ в InGaAs/InP гетероструктурах, полученных жидкофазной эпитаксией//Физ. и техн. полупроводников, 1984. Т. 18. Вып. 7. С. 1230-1232.
Tarof L. E. Planar InP/InGa As avalanche photodetectors with partial charge sheet in device periphery//Appl. Phys. Letts. 1990. V. 57. № 7. P. 670-672.
Беспалов В. А., Елкин А. Г., Журкин Б. Г., Квит А. В., Октябрьский С. Р., Пережогин Г. А. Механизм влияния редкоземельных элементов на свойства слоев GaAs , выращенных жидкостной эпитаксией//КСФ, 1987. № 9. С. 32-34.
Артамонов М. М., Беспалов В. А., Емельянов А. В., Елкин А. Г., Октябрьский С. Р. Влияние редкоземельных элементов на свойства эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs//Тезисы доклада на VII конференции по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. - Новосибирск, 1986. Т. 2. С. 250-251.
Novotny J., Prochazkova O., Zdansky K., Zavadil J. Preparation and properties of Er and Yb doped In-based semiconductor compound//Czechoslovak Journal of Physics. 1999. V. 49. № 5. P. 757-763.
Skromme B. J. at al. In: Gallium Arsenide and related Compounds//Inst. Phys. Conf. Ser. 65. 1982. Ch. 6. P. 485.
- Купить
