Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- О ПРОЦЕССЕ РОСТА СЛОЕВ GexSi1-x НА ИЗОЛЯТОРЕ В СМЕШАННЫХ ГИДРИДНОМ И ДИХЛОРСИЛАНОВОМ ПРОЦЕССАХ
- Авторы
- Тимошенков С. П. , д-р техн. наук, проф, ,
Калугин В. В. , д-р техн. наук, ,
Графутин В. И. , канд. физ.-мат. наук, ст. науч. сотр, ,
Прокопьев Е. П. , канд. физ.-мат. наук, ст. науч. сотр, ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2003 номер журнала 3 Страницы 25 - 26
- Индекс УДК
- УДК 621.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Предложенные реакционные схемы процессов роста слоев GexSi1-x естественный образом объясняют каталитический эффект ускорения роста слоев германия в смешанных герман-силановых и герман-дихлорсилановых процессах и уменьшение параметра модели J-процессов, обнаруженных в экспериментах.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Carone Р. М., Sturm J. C., Schwartz P. V.//Appl. Phys. Letters. 1990. V. 56. № 13. P. 1273-1277.
Meyerson B. S., Uram K. J., Legouers F. K.//Ibid. 1988. V. 53. № 13. P. 2555.
Bloem J., Giling L. M.//In: Current Topics in Materials Science. V. 1. Ed. E. Kaldis. North-Holl. Publ. Comp. 1978. P. 147-342.
Прокопьев Е. П., Петров С. В., Белоусов В. М. Опытно-промышленная эпитаксия кремния: новая аналитическая модель//Петербургский журнал электроники. 1996. № 1. С. 29-40. (см. также http://www.prokopep.narod.ru).
- Купить
