Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ПРОЦЕССЫ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ И ОБОРУДОВАНИЕ НА ИХ ОСНОВЕ
- Авторы
- Тимофеев В. Н. , д-р техн. наук, проф, ,
Сажнев С. В. , канд. техн. наук, ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2003 номер журнала 2 Страницы 24 - 32
- Индекс УДК
- УДК21.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Рассмотрены принципы построения быстрых термических процессов, приходящих на смену стандартным процессам обработки полупроводниковых пластин. Показано, что основными проблемами в разработке оборудования являются неравномерность температур по диаметру пластины и контроль температуры по пластине в течение процесса. Обсуждаются подходы разработчиков оборудования к решению указанных проблем. Приведены сравнительные характеристики разработанного оборудования.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Winkler E. RTP making Its Into Fab. Areas// Electronic News, 1989. V. 35. № 1786. P. 28-30.
Fair R. B., Ruggles B. A. Nermal Budget Issues for Deep Submicron// Solid State Technology, 1990. V. 33. № 5. P. 107-113.
Deushi Zairyo, 1988. V. 27. Спецвыпуск. P. 67-77.
Тимофеев В. Н., Сажнев С. В., Миркурбанов Х. А. Расчет напряженно-деформированного состояния и оценка размеров зоны пластической деформации в полупроводниковой пластине при осесимметричном температурном нагружении// Материаловедение, 2002. № 9. С. 51-56
Akiyama N., Inoue Y, Suzuki T. Critical Radial Temperature Gradient Induction Slip Dislocations in Silicon Epitaxy Using Dual Heating of the Two Surfaces of a Wafer// Jap. J. Appl. Phys., 1986. V. 25. № 11. Р. 1619-1622.
Зайцев Н. А., Шуриков И. О. Структурно-примесные и электрофизические свойства системы Si-SiO2. - М.: Радио и связь, 1993. - 190 с.
Справочник по триботехнике/ Под ред. М. Хебды, А. В. Чичинадзе. Т. 1. - М.: Машиностроение, 1989. - 400 с.
Lee S. K., Ku J. H., Kwong D. L. Silicon epitaxial growth by rapid thermal processing chemical vapor deposition// Applied Physic Letters, 1989. V. 54. № 18. Р. 1775-1777.
Deushi Zairyo. 1990. V. 29. № 3. P. 30-33.
Yoshi Kawa D. F. Rapid Thermal Processing in the 1990-s// Microelectronic Manufacturing and Testing. 1989. V. 12. № 10. P. 48.
Sukhder S. Rapid Isotermal Groussing of Silicon Wafers// Physics in Technology. 1986. V. 17. № 6. P. 245-253, 259.
Bader M. E., Holl R. P., Strasser I. Integrated Processing Equipment// Solid State Technology. 1990. V. 33. № 5. P. 149-154.
RTP Cluster Tool Module With Integrated Temperature Control System// Ibid, № 8. P. 39-41.
Kermani A. Single Wafer Rapid Thermal CVD for Poly-Emitter Bipolar and Bi CMDS Devices// Ibid, № 7. P. 41-43.
Rapid Thermal Processing Selection Yuide// Microelectronic Manufacturing and Testing. 1989. V. 12. № 5. P. 38-40.
Stults I. Impact of Rapid Thermal Groussing on Device Technology// Conference SEMICON, California, May, 20-26, 1986. Р. 87-94.
RTP patent awarded// Solid State Technology. 1989. V. 32. № 10. P. 36.
Continuous Heat Source Thermal Processor// Microelectronic Manufacturing and Testing. 1986. V. 12. № 5. P. 39.
Chunghsin L., Shirinsky Y. Rapid Thermal Processing Using a Continious Heat Sourse// Solid State Technology. 1989. V. 32. № 1. P. 43-44.
Rapid Thermal Processing System// Microelectronic Manufacturing and Testing. 1989. V. 12. № 5. P. 39.
RTP for As applications// Solid State Technology. 1989. V. 32. № 5. P. 198.
Single Chamber Rapid Thermal Processor// Microelectronic Manufacturing and Testing. 1989. V. 12. № 5. P. 40.
Single Chamber RT P// Solid State Technology. 1989. V. 32. № 5. P. 198.
Rapid Thermal Module// Microelectronic Manufacturing and Testing. 1989. V. 12. № 5. P. 40
Rapid Thermal Processor// Ibid. P. 41.
Раинова Ю. М., Бархоткин А. В. Диагностика и контроль быстрых термических процессов// Известия вузов. Сер. Электроника, 1999. № 4. С. 59-70.
Dilhac I. M. Temperature and process control in Rapid Thermal Processing.- Advances in Rapid Thermal and Integrated Processing: Ed. Roozeboom F.// NATO ASI Series. 1996. V. 318. P. 143-162.
- Купить
