Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- СВОЙСТВА ПОДЗАТВОРНОГО ОКИСЛА Р-КАНАЛЬНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ, СОЗДАННЫХ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ИОНОВ BF2+
- Авторы
- Кузнецов Е. В. , , ,
Герасименко Н. Н. , д-р физ.-мат. наук, проф, ,
Тарасенков А. Н. , , ,
Денисенко Э. Ю. , , ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2003 номер журнала 1 Страницы 25 - 30
- Индекс УДК
- УДК 621.382.049.77.002:621.315.542
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Проведен анализ качества подзатворного окисла, в том числе технологических особенностей проведения процесса ионной имплантации ионами BF2+, при создании областей сток/исток Р-канальных МДП-транзисторов. В результате исследований удалось установить заметное снижение дефектности оксидных слоев, повышение тока их пробоя, конечным результатом чего стало заметное повышение коэффициента выхода годных (Кв.г). Методами измерений, использованными в данной работе, не выявлено паразитного подлегирования области канала ускоренными ионами B+ при использовании энергии имплантации BF2+ до 100 кэВ. В результате исследований было выявлено заметное снижение эффективного заряда подзатворного диэлектрика.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Woerlee P. H., Knitel M. J., Meyssen V. M. H. R.M.D.A. Velghe and A.T.A. Zegers van Duijnhoven Multiple Gate Oxide Technology Using Fluorine Implantation/Philips Research Laboratories, Eindhoven, The Netherlands Pierre. 1995.
Глинка Н. Л. Общая химия. - М.: Химия, 1978. С. 351.
Park Jihwan, Huh Yun-Jun, Hwang Hyunsang. Comparison of ultralow-energy ion implantation of boron and BF2 for ultrashallow p/n junction formation//Аpplied physics letters. 1999. V. 74. № 9. 1 Мarch.
Houtsma V. E., Hof A. J., Holleman J., Woerlee P. H. The Influence of Fluorine on the Stress-Induced Leakage Current Characteristics in n+ Poly-Si MOS Capacitors/Philips Research Laboratories, Prof. Holstlaan 4, 5656 AA Eindhoven, The Netherlands.
Батавин В. В., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. Измерения параметров полупроводниковых материалов и структур, - М.: Радио и связь. 1985. С. 5-20; 167-202.
- Купить
