Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ПОВЫШЕНИЕ ПРОЗРАЧНОСТИ КОНТАКТНЫХ ЭЛЕКТРОДОВ ИК-ФОТОРЕЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ СТРУКТУР GaAs
- Авторы
- Беспалов В. А. , канд. техн. наук, ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2003 номер журнала 1 Страницы 34 - 36
- Индекс УДК
- УДК21.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Показано, что для формирования прозрачных контактных электродов целесообразно использовать высоколегированные p+-области GaAs. Повышение пропускания достигается оптимальным соотношением между концентрацией примеси в p+-области и ее толщиной, а некоторое повышение прозрачности контактных электродов для структур GaAs - за счет применения предварительной ионно-лучевой обработки и импульсного фотонного отжига.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. - М.: Мир, 1973. - 456 c.
Аброян И. А., Андропов А. Н., Титов А. И. Физические основы электронной и ионной технологии. - М.: Высш. шк., 1984. - 317 c.
Gill S. S., Selay B. J. Review of Rapid thermal Annealing of Jon Implanted GaAs// J. Electrochem. Soc. Solid-State Science and Technology. 1986. V. 133. № 12. P. 2590-2596.
Adachi S. Dual implantion of Be and F in GaAs and AlGaAs// Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. № 51. P. 1161-1163.
Popovic R. S. Metal N-type semiconductor ohmic contact with a shallow N surface layer// Solid State Electronics. 1978. V. 21. P. 1133-1138.
Pearton S. J., Cummings K. D., Vella-Caleiro G. R. Rapid Thermal Annealing in GaAs IC Processing// J. Electrochem Soc.: Solid-State science and technology. 1985. V. 132. № 11. P. 2744-2747.
- Купить
