Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ИДЕНТИФИКАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ИМИТАЦИОННОЙ МОДЕЛИ ЭБЕРСА-МОЛЛА БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА С ПОМОЩЬЮ ИСКУССТВЕННЫХ НЕЙРОННЫХ СЕТЕЙ
- Авторы
- Логинов Вадим Александрович loginovva@mpei.ru, канд. техн. наук, доцент кафедры вычислительной техники, Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт", Москва, Россия Тел. (495) 362-76-64
Ключанский Александр Андреевич KliuchanskyAA@mpei.ru, аспирант, Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт», Москва, Россия
- В разделе
- МЕТОДЫ И СРЕДСТВА РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ ПРОЕКТИРОВАНИЯ
- Ключевые слова
- моделирование / имитационная модель / идентификация / биполярный транзистор / модель Эберса-Молла / нейронная сеть Колмогорова-Арнольда / архитектура KAN
- Год
- 2025 номер журнала 1 Страницы 3 - 7
- Индекс УДК
- 004.942
- Код EDN
- NUAEPM
- Код DOI
- 10.52190/2073-2597_2025_1_3
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Приведен краткий обзор основных имитационных моделей, используемых для моделирования транзисторов. Описан метод и результаты применения искусственной нейронной сети архитектуры KAN для идентификации параметров имитационной модели Эберса-Молла биполярного транзистора.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
ГОСТ 2.103-2013. Единая система конструкторской документации (ЕСКД). Стадии разработки. - М: Стандартинформ, 2019.
Постановление Правительства Российской Федерации от 10 июля 2019 года № 878. О мерах стимулирования производства радиоэлектронной продукции на территории Российской Федерации при осуществлении закупок товаров, работ, услуг для обеспечения государственных и муниципальных нужд, о внесении изменений в постановление Правительства Российской Федерации от 16 сентября 2016 г. N 925 и признании утратившими силу некоторых актов Правительства Российской Федерации.
Постановление Правительства Российской Федерации от 27 марта 2023 года № 486. О внесении изменений в некоторые акты Правительства Российской Федерации.
Сазонов С. Н. Определение параметров сложных моделей с помощью искусственных нейронных сетей. - Ульяновск: УГТУ, 2021. C. 68-71.
ГОСТ Р 53736-2009. Изделия электронной техники. Порядок создания и постановки на производство. Основные положения. - М: Стандартинформ, 2010.
ГОСТ 15.016-2016. Система разработки и постановки продукции на производство. Техническое задание. Требования к содержанию и оформлению. - М: Стандартинформ, 2023.
ГОСТ 11630-84 (СТ СЭВ 300-76, СТ СЭВ 3992-83). Приборы полупроводниковые. Общие технические условия. - М: Издательство стандартов, 1986.
Кристюк Е. М. Разработка модели биполярного транзистора на основе SiC для использования в современных САПР // Наука настоящего и будущего. 2020. Т. 1. C. 118-121.
Чаплыгин Ю. А., Адамов Ю. Ф., Тимошенков В. П. Особенности применения модели VBIC при проектировании ИМС на SiGe биполярных транзисторах: сб. трудов "Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014". - М.: ИППМ РАН, 2014. Часть III. C. 93-98.
Niu G. et al. The Mextram Bipolar Transistor Model [Электронный ресурс]. URL: https://www.eng.auburn.edu/~niuguof/mextram/_downloads/MextramDefinition.pdf (дата обращения: 06.03.2025).
Schroter M., Pawlak A., Mukherjee A. HICUM / L2. A geometry scalable physics-based compact bipolar transistor model // TU Dresden. 2017. № 3.
Вахтин В. Е., Лебедев Е. С., Марченко В. А., Горячкина А. А. Модели полевых транзисторов // Актуальные исследования. 2024. № 4(1). C. 19-24.
Ханько В. Т. Электрические модели HiSIM для схемотехнического моделирования интегральных микросхем. - Гродно: ГрГУ, 2017. C. 156-158.
Liu Z. et al. KAN: Kolmogorov-Arnold Networks [Электронный ресурс]. URL: https://scispace.com/papers/kan-kolmogorov-arnold-networks-1a85ameaq9?ysclid=m7wfovn15m508478835 (дата обращения: 06.03.2025).
Ngspice - open source Spice simulator [Электронный ресурс]. URL: https://ngspice.sourceforge.io/ (дата обращения: 11.07.2024).
Index of /files/pspice/libs [Электронный ресурс]. URL: https://robustdesignconcepts.com/files/pspice/libs/ (дата обращения: 27.05.2024).
Модели транзисторов, диодов, микросхем и т. д. [Электронный ресурс]. URL: https://musatoffcv.narod.ru/Libs/Models.htm (дата обращения: 19.07.2024).
Дворников О., Шульгевич Ю. Методы идентификации параметров моделей интегральных транзисторов Часть 2. Идентификация параметров модели, описывающих вольтамперные характеристики биполярных транзисторов // Современная электроника. 2009. № 6. C. 52-61.
- Купить
- 500.00 руб
