Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ И ПРОМЫШЛЕННОЙ ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНОГО СВЧ-ТРАНЗИСТОРА НА БАЗЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ AlGaN/GaN
- Авторы
- Буробин Валерий Анатольевич openline@gz-pulsar.ru, канд. техн. наук, генеральный директор, ОАО «Государственный завод "Пульсар"», Москва, Россия Тел. (495) 369-04-75
Коновалов Алексей Михайлович , ведущий специалист, ОАО «Государственный завод "Пульсар"», Москва, Россия
Макаров Андрей Александрович , инженер-технолог, ОАО «Государственный завод "Пульсар"», Москва, Россия
Каргин Николай Иванович , д-р техн. наук, первый заместитель директора, профессор, ИФЯЭ НИЯУ "МИФИ", Москва, Россия Тел. (495) 788-56-99 доб. 8146
Кузнецов Алексей Львович , заместитель директора, ИФЯЭ НИЯУ "МИФИ", Москва, Россия
- В разделе
- МАТЕРИАЛЫ МЕЖДУНАРОДНОЙ НАУЧНО-ПРАКТИЧЕСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ "РОССИЙСКИЕ КОРПОРАЦИИ, ВУЗЫ И НАУЧНЫЕ ОРГАНИЗАЦИИ: ПРОБЛЕМЫ И ПЕРСПЕКТИВЫ СОТРУДНИЧЕСТВА В ИННОВАЦИОННОЙ СФЕРЕ"
- Ключевые слова
- нитрид галлия / гетероструктуры / двухмерный электронный газ / транзисторы
- Год
- 2012 номер журнала 4 Страницы 66 - 71
- Индекс УДК
- УДК 621.317
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Материалы конференций
- Аннотация
- Рассмотрены вопросы по проведению инновационных исследований и созданию передовой промышленной технологии производства мощных СВЧ-транзисторов на базе гетероструктур AlGaN/GaN, перспективы создания электронной компонентной базы для силовой электроники на основе широкозонных полупроводниковых материалов, а также актуальные вопросы выбора исходного материала подложек, отражены технологические аспекты формирования гетероэпитаксиальных структур AlGaN/GaN с оптимизацией значений концентрации и подвижности в слое двухмерного электронного газа, а также методы контроля качества структур.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Матвеев Ю. А. СВЧ-транзисторы на гетеросистеме AlGaN/GaN с удельной выходной мощностью 3 Вт/мм / Ю. А. Матвеев [и др.]//Тезисы докладов 7-й Всерос. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы". - М., 2010.
Куэй Р. Электроника на основе нитрида галлия /Р. Куэй. Под ред. А. Г. Васильева; Пер. с англ. Ю. А. Концевой, Е. А. Митрофанова. - М.: Техносфера, 2011. - 588 с.
Свешников Ю. Н. Гетероэпитаксиальные структуры AlGaN/GaN для СВЧ-полевых транзисторов на различных подложках/Ю. Н. Свешников [и др.] // Тез. докл. 8-й Всерос. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы". - Санкт-Петербург, 2011.
Резкова Е. М. Особенности формирования контактов методом взрывной литографии/ Е. М. Резкова [и др.] //Тез. докл. 2-й науч.-практ. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения". - М., 2012.
- Купить
