Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- МОЩНЫЕ СВЧ-ТРАНЗИСТОРЫ ТИПА TS-LDMOS С ГЛУБОКИМ КОНТАКТОМ К ПОДЛОЖКЕ ЩЕЛЕВОГО ВИДА С РАБОЧЕЙ ЧАСТОТОЙ 2 ГГц
- Авторы
- Шемякин Александр Валерьевич A.Shemyakin@tcen.ru, научный сотрудник, ФГУ НПК "Технологический центр" МИЭТ, Москва, Россия Тел. 8 (499) 720-87-79
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА. РАДИОТЕХНИКА. ЭЛЕКТРОНИКА
- Ключевые слова
- TS-LDMOS / пробой / площадь кристалла / щелевой тип контакта / математическое моделиро- вание / блокирование индукционных связей / TCAD
- Год
- 2011 номер журнала 4 Страницы 23 - 29
- Индекс УДК
- УДК 621.3.049.77
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Рассмотрена возможность значительной миниатюризации транзисторной структуры LDMOS без ухудшения ее важнейших электрофизических параметров. Исследовано внедрение конструктивно-технологического решения по оптимизации области P+ Sinker, которая выполняет функцию низкоомческого контакта к подложке. Достигнута экономия ~ 40 % площади кристалла для TS-LDMOS-транзистора в сравнении с обычным транзистором LDMOS.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Cheon S. K., Sung D. K., Mun-Yang P., Hyun-Kyu Y. Trenched-Sinker LDMOSFET (TS-LDMOS) Structure for 2 GHz Power Amplifiers // ETRI Journal. 2003. V. 25. No. 4. P. 195-202.
Wood A., Dragon C., Burger W. High Performance Silicon LDMOS Technology for 2 GHz RF Power AmplifieApplication // Electron Devices Meeting International. 1996. P. 87-90.
Hsu H. M. et al. A 0.18 µm Foundry RF CMOS Technology with 79 GHz ft for Single Chip Solution // Microwave Symposium Digest IEEE MTT-S International. 2001. P. 1869-1872.
Yoshida I., Katsueda M., Ohtaka S., Maruyama Y., Okabe T. Highly Efficient 1.5 GHz Si Power MOSFET for Digital Cellular Front End // Proceedings of the 4th International Symposium ISPSD. 1992. P. 156.
Cheon Soo Kim, Park Min., Chung-Hwan Kim, Hyun Kyu Yu, Kyro Lee, Hanjin Cho. Thick Metal CMOS Technology on High Resistivity Substrate And Its Application to Monolithic L-band CMOS LNAs // ETRI Journal. 1999. V. 21. No. 4. P. 1-8.
Yoshida I., Katsueda M., Maruyama Y., Kohjiro I. A Highly Efficient 1.9 GHz Si Power MOSFET // Proceedings of ESSDERC. 1996. P. 405.
Pun A. L. L., Yeung T., Lau J., Clement F. J. R., Su D. K. Substrate Noise Coupling Through Planar Spiral Inductor // IEEE Journal of Solid State Circuits. 1998. V. 33. No. 6. P. 877-884.
Burghartz J. N., Edelstein D. C., Soyuer M., Ainspan H. A., Jenkins K. A. RF Circuit Design Aspects of Spiral Inductors on Silicon // Ibid. No. 12. P. 2028-2034.
Su D. K., Loinaz M. J., Masui S., Wooley B. A. Experimental Results and Modeling Techniques for Substrate Noise in Mixed-signal Integrated Circuits // Ibid. 1993. V. 28. No. 4. P. 252-258.
Kim C. S., Park M., Park J. W., Yu H. K. Deep Trench Guard Technology to Suppress Coupling between Inductors in Silicon RF ICs // Microwave Symposium Digest IEEE MTT-S International. 2001. P. 1873-1876.
- Купить
