Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ЛЮМЕН-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ GaAs0,6P0,4 СВЕТОДИОДОВ
- Авторы
- Кондратенко Владимир Степанович kondratenko_vs@mgupi.ru, д-р техн. наук; заведующий кафедрой, Московский государственный университет приборостроения и информатики (МГУПИ), Москва, Россия Тел. 8 (499) 269-46-88
Рыжиков Игорь Вениаминович OND491@yandex.ru, д-р техн. наук; профессор, Московский государственный университет приборостроения и информатики (МГУПИ), Москва, Россия
Зайцев Сергей Николаевич zaitsev88@yandex.ru, аспирант, Московский государственный университет приборостроения и информатики (МГУПИ), Москва, Россия
- В разделе
- ФИЗИКА. ФИЗИЧЕСКАЯ ХИМИЯ. ТЕРМОДИНАМИКА
- Ключевые слова
- светодиод / цифро-знаковые индикаторы / арсенид фосфид галлия / электронное облучение / люмен-амперная характеристика / сила света / константа повреждаемости времени жизни
- Год
- 2013 номер журнала 3 Страницы 44 - 47
- Индекс УДК
- УДК 621.382.2
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Представлен анализ люмен-амперных характеристик светодиодов на базе GaAs0,6P0,4 до и после облучения электронами, определена константа повреждаемости времени жизни при электронном облучении данных СИД, выведены аналитические зависимости силы света от тока и от флюенса облучения.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Mc. Nichols I. L., Berg N. I. Neutron-induced metallic spike zones in GaAs // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1974. NS-18. № 6. P. 21-30.
Vaidyanathan R. U., Watt L. A., and Swanson M. L. Optical properties of electron and neutron-irradiated GaAs // Phis. Status, solidi A.1. 1972. U. 10. № 6. P. 127-136.
Жевно Ф. Н., Поклонский Н. А., Стельмах В. Ф. О скорости удаления носителей в неоднородных кристаллах арсенида галлия // Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск: Белорусский университет. 1972. С. 158-162.
Уваров Е. Ф. Электрофизические свойства полупроводниковых соединений А3В3, облученных быстрыми электронами и нейтронами // Обзор по электрон. технике. 1979. Вып. 9.68. С. 3-52.
Абдуллаев О. Р., Кондратенко В. С., Рыжиков И. В., Виноградов В. С. Люмен-амперные характеристики p-n*-p-структур на основе твердых растворов фосфида и нитрида галлия индия алюминия (теория) // "Вестник МГУПИ". 2009. № 21. С. 95-103.
Кондратенко В. С., Абдуллаев О. Р., Рыжиков И. В., Виноградов В. С., Фирсов А. С. Сравнительное исследование воздействия проникающей радиации на светодиоды нового поколения на основе AlGaInP и AlGaInN гетероструктур // Приборы. 2009. № 3. С. 24-36.
Зайцев С. Н. Контроль и оценка радиационной стойкости GaP-(Zn-O) светодиодов при облучении нейтронами / С. Н. Зайцев // Технические науки в России и за рубежом (II): материалы междунар. заоч. науч. конф. (Москва, ноябрь 2012 г.). - М.: Буки-Веди, 2012. С. 29-34.
Зайцев С. Н. Влияние нейтронов, протонов, электронов и гамма-квантов на вольт-амперные характеристики GaP(Zn-Te(S)-N) светодиодов / С. Н. Зайцев // Молодой ученый. 2012. № 12. С. 67-70.
- Купить
