Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ОПТИМИЗАЦИЯ СВЧ-САМОСОВМЕЩЕННЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР НА ЧИСТОМ КРЕМНИИ И МАЛОШУМЯЩЕГО ШИРОКОПОЛОСНОГО УСИЛИТЕЛЯ ДЛЯ РАДИОПЕРЕДАЮЩИХ ИС С ЭЛЕМЕНТАМИ МЭМС. Часть 2
- Авторы
- Вернер Виталий Дмитриевич tc@tcen.ru, д-р физ.-мат. наук, председатель научно-технического совета, ФГУ НПК "Технологический центр" МИЭТ, Москва, Россия Тел. 8 (499) 734-45-21
Сауров Александр Николаевич tc@tcen.ru, д-р техн. наук, чл.-кор. РАН, директор, ФГУ НПК "Технологический центр" МИЭТ, Москва, Россия Тел. 8 (499) 734-45-21
Метельков Павел Вячеславович pavel_metelkov@mail.ru, инженер, Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Москва, Россия Тел. 8 (499) 732-63-09
Луканов Николай Михайлович N. Loukanov@tcen.ru, д-р техн. наук, ведущий научный сотрудник, ФГУ НПК "Технологический центр" МИЭТ, Москва, Россия Тел. (499) 720-87-79
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА. РАДИОТЕХНИКА. ЭЛЕКТРОНИКА
- Ключевые слова
- малошумящий широкополосный усилитель / чистый кремний / рабочая частота 5 / 2 ГГц / биполярные СВЧ-cамосовмещенные транзисторные структуры / оптимизация параметров
- Год
- 2011 номер журнала 2 Страницы 20 - 27
- Индекс УДК
- УДК 621.3.049.77
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Проведена оптимизация работы СВЧ-малошумящего широкополосного усилителя для радиопередающих ИС на чистом кремнии с рабочей частотой F = 5,2 ГГц, используя биполярные СВЧ-самосовмещенные транзисторные структуры и элементы МЭМС. Усилитель имеет минимальное значение уровня шума 1,8 дБ, усиление по мощности 18,2 дБ, величину точки компрессии по входу -21 дБм и ток потребления 13 мA при напряжении питания 3 В.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Вернер В. Д, Луканов Н. М., Сауров А. Н., Метельков П. В. Оптимизация СВЧ-самосовмещенных транзисторных структур на чистом кремнии и малошумящего широкополосного усилителя для радиопередающих ИС с элементами МЭМС (часть 1)// Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. - М.: ФГУП "ВИМИ", 2011. № 1. С. 78-84.
Italia A., Ragonese E., Girlando G. A 5-GHz monolithic silicon bipolar down-converter with a 3.2-dB noise figure// IEEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposium. (U.S.A., Pennsylvania, June (7-13), 2003). 2003. P. 453-456.
Lim K., Pinel S., Davis M. et al. RF-System-On-Package (SOP) for Wireless Communic// IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Mar. 2003. Р. 88-99.
Луканов Н. М. Некоторые малоизвестные моменты из истории отдела 22 НИИМЭ// Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника. 1998. Вып. 1 (152). С. 49-57.
Луканова Н. Н., Луканов Н. М. Конструктивно-топологическое проектирование самосовмещающихся субмикронных сверхтонкослойных транзисторных структур с улучшенными параметрами: Сб. науч. тр. МИЭТ "Физика, технология и схемотехника СБИС". - М.: МИЭТ. Зеленоград, 1989. C. 80-93.
Сауров А. Н. Методы самоформирования в микроэлектронике// Известия вузов. Электроника. - М.: МИЭТ, 1997. № 5. С. 41-47.
Сулимин А. Д., Луканов Н. М., Осташкин Л. П., Неустроев С. А., Яковенко В. Г. Исследование некоторых свойств системы Si-SiO2, получаемой плазмохимическим осаждением двуокиси кремния// Физика и химия обработки материалов. - М.: Академия наук СССР, 1975. № 2. С. 57-60.
Луканов Н. М. Способ изготовления транзисторных структур// А. с. 749287 СССР. Опубл. 12.03.80 (приоритет 03.11.78).
Луканов Н. М. Способ изготовления самосовмещенных транзисторных структур с диэлектрической изоляцией// А. с. 1132734 СССР. Опубл. 01.09.84 (приоритет 05.08.83).
Луканов Н. М., Савельев А. А., Суханов В. С. и др. Способ изготовления элемента памяти// А. с. 1515945 СССР. Опубл. 15.06.89 (приоритет от 29.02.88).
Луканов Н. М., Лебедев В. В., Никулин В. Б., Сторожук Г. А. Полупроводниковый тензорезистор// А. с. 544310 СССР. Опубл. 28.10.76 (приоритет от 01.06.73).
Луканов Н. М., Лебедев В. В., Любушкин Е. Н., Шварц К.-Г.М., Щербинин А. А. Способ изготовления активных элементов интегральных схем// А. с. 439863 СССР. Опубл. 19.04.74 (приоритет от 13.07.70).
Вернер В. Д., Луканов Н. М., Меликов Р. Б. Способ изготовления структур интегральных схем с боковой диэлектрической изоляцией элементов// А. с. 1294231 СССР. Опубл. 01.11.86 (приоритет от 22.07.85).
- Купить
