Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- КИНЕТИЧЕСКИЕ СХЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ СВОЙСТВАМИ ПРИМЕСНО-ДЕФЕКТНОЙ ПОДСИСТЕМЫ КРЕМНИЯ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
- Авторы
- Вернер Игорь Витальевич I.Verner@tcen.ru, д-р физ.-мат. наук, профессор, Московский государственный институт электронной техники (технический университет), Москва, Россия Тел. 8 (499) 720-87-93. Факс 7 (495) 913-21-92
Шокина Джульетта Ивановна juna-01@mail.ru, канд. физ.-мат. наук, доцент, Московский государственный институт электронной техники (технический университет), Москва, Россия Тел. 8 (499) 720-85-58
Юсипова Юлия Александровна Linda_nike@mail.ru, аспирантка, Московский государственный институт электронной техники (технический университет), Москва, Россия Тел. 8 (499) 720-85-58
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА. РАДИОТЕХНИКА. ЭЛЕКТРОНИКА
- Ключевые слова
- моделирование / примесно-дефектная подсистема / восходящая диффузия примеси / распределение примесей
- Год
- 2011 номер журнала 1 Страницы 62 - 68
- Индекс УДК
- УДК 67.02
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Представлены данные о взаимодействии точечных дефектов и примеси. Приведены краткая теоретическая модель и экспериментальные результаты электронно-микроскопических исследований пластин кремния после ионной имплантации и отжига в нейтральной и химически активной водородной среде. Показано, что отжиг в химически активной среде приводит к обратной диффузии примеси и к улучшению структуры приповерхностной области кремния.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Рихтер Т. К. Р. Моделирование травления кремния атомами водорода// Физика и химия обработки материалов. 1990. № 1. C. 93-96.
Мари Дж. Нелинейные дифференциальные уравнения в биологии. - М.: Мир, 1983. - 324 с.
Дэвис Дж., Ташлыков И. С., Томпсон Д. А. Различия в радиационном повреждении GaAs при имплантации ионов P и Al// ФТП. 1982. T. 16. Вып. 4. С. 577-581.
Kulikauskas V. S., Mordkovisch V. N., Razgulyaev I. I. Hich - Dose Implantation in Silicon// Ion implantatiion into Semiconductors and oder materials. KPI. - Vilnjus, 1983. P. 170.
Seidel J. E., Lischer D. J., Pai C. S., Knoell R. V., Maher D. M., Jacobson D. C. Nucl. Instr. and Meth// Phys. Res. 1985. V. 7/8. P. 251.
Вернер И. В., Максимов С. К., Мажирин А. П., Тасоева Д. И., Цуканов В. В., Шокин А. Н. Получение ионнолегированных слоев кремния неглубокого залегания при использовании химически активной атмосферы отжига// Микроэлектроника. 1990. Т. 19. Вып. 4. C. 413, 414.
Шокина Д. И., Вернер И. В., Кириленко Е. Л., Шокин А. Н. Перераспределение примесного бора в кремнии при отжиге в водороде// Электронная промышленность. 1994. № 2. C. 18-21.
Балыченко А. А., Макаров В. В., Вернер И. В., Тасоева Д. И. Шокин А. Н. К вопросу о механизмах смещения профиля ионно-имплантированного бора к поверхности кремния в процессах термохимического отжига// Микроэлектроника. 1992. Т. 21. Вып. 3. C. 82-84.
Шокина Д. И., Вернер И. В., Кириленко Е. Л., Шокин А. Н. Перераспределение примесного бора в кремнии при отжиге в водороде// Электронная промышленность. 1994. № 2. C. 18-21.
Вернер И. В., Шокина Д. И., Кукин В. Н. Влияние термообработки в водороде на структурные дефекты кремния// Известия вузов. Электроника. 2003. № 5. С. 28-31.
Stoemenos J., Reeson K. J., Robinson A. K., Hemment P. L. F. Dislocation formation related with hich oxygen dose implantation on Silicon// J. Appl. Phys. 1991. T. 69. Nо. 2. P. 793-802.
- Купить
