Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ОПТИМИЗАЦИЯ СВЧ-САМОСОВМЕЩЕННЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР НА ЧИСТОМ КРЕМНИИ И МАЛОШУМЯЩЕГО ШИРОКОПОЛОСНОГО УСИЛИТЕЛЯ ДЛЯ РАДИОПЕРЕДАЮЩИХ ИС С ЭЛЕМЕНТАМИ МЭМС Часть 1.
- Авторы
- Вернер Виталий Дмитриевич tc@tcen.ru, д-р физ.-мат. наук, председатель научно-технического совета, ФГУ НПК "Технологический центр" МИЭТ, Москва, Россия Тел. 8 (499) 734-45-21
Сауров Александр Николаевич tc@tcen.ru, д-р техн. наук, чл.-кор. РАН, директор, ФГУ НПК "Технологический центр" МИЭТ, Москва, Россия Тел. 8 (499) 734-45-21
Метельков Павел Вячеславович pavel_metelkov@mail.ru, инженер, Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Москва, Россия Тел. 8 (499) 732-63-09
Луканов Николай Михайлович N. Loukanov@tcen.ru, д-р техн. наук, ведущий научный сотрудник, ФГУ НПК "Технологический центр" МИЭТ, Москва, Россия Тел. (499) 720-87-79
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА. РАДИОТЕХНИКА. ЭЛЕКТРОНИКА
- Ключевые слова
- СВЧ-cамосовмещенные транзисторные структуры (ССТС) / чистый Si / малошумящий широкополосный усилитель (МШУ) / параметры нелинейной модели Гуммеля-Пуна / МЭМС / радиопередающие ИС с рабочей частотой 5 / 2 ГГц
- Год
- 2011 номер журнала 1 Страницы 78 - 84
- Индекс УДК
- УДК 621.3.049.77
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- С помощью программ приборно-технологического моделирования и рассчитанных параметров нелинейной модели Гуммеля-Пуна проведена оптимизация конструкции и технологии биполярных СВЧ-cамосовмещенных транзисторных структур (ССТС) на чистом Si. На основе ССТС и компонентов МЭМС выбрана принципиальная электрическая схема малошумящего широкополосного усилителя (МШУ) для радиопередающих интегральных схем (ИС) с рабочей частотой 5,2 ГГц.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Italia A., Ragonese E., Girlando G. et. al. A 5-GHz monolithic silicon bipolar down-converter with a 3.2-dB noise figure// 2003 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposium. U.S.A. Pennsylvania. June (7-13). 2003. P. 453-456.
Florian C., Pirazzini M., Vannini G. et. al. C Band DROs using microwave bipolar devices// 12th GAAS Symposium - Amsterdam. 2004. P. 41-44.
Луканов Н. М. Состояние и перспективы разработки конструктивно-технологической базы для сверхбыстродействующих БИС и СБИС// Итоги науки и техники. Сер. Электроника. - М.: ВИНИТИ, 1990. Т. 27. C. 3-32.
Луканова Н. Н., Луканов Н. М. Конструктивно-топологическое проектирование самосовмещающихся субмикронных сверхтонкослойных транзисторных структур с улучшенными параметрами// Сборник научных трудов МИЭТ "Физика, технология и схемотехника СБИС". - М.: МИЭТ. Зеленоград, 1989. C. 80-93.
Lukanov N. M. et. al. Bipolar VLSI based on self-aligned transistor structures// Electronic Engineering. Series Microelectronics. 1991. Issue 1 (1). News from Soviet "Silicon Valley". (Зеленоград, НПО "Научный центр"). 1991. P. 54, 55.
А. с. 439863 СССР. Способ изготовления активных элементов интегральных схем/ Луканов Н. М., Лебедев В. В., Любушкин Е. Н., Шварц К. Г. М., Щербинин А. А. Опубл. 19.04.74 (приоритет от 13.07.70).
А. с. 1294231 СССР. Способ изготовления структур интегральных схем с боковой диэлектрической изоляцией элементов/ Вернер В. Д., Луканов Н. М., Меликов Р. Б. Опубл. 01.11.86 (приоритет от 22.07.85).
А. с. 1132734 СССР. Способ изготовления самосовмещающихся транзисторных структур с диэлектрической изоляцией/ Луканов Н. М. Опубл. 01.09.84. (приоритет от 05.08.83).
А. с. 711950 СССР. Способ изготовления транзисторных структур/ Луканов Н. М., Лапшинов О. Н. Опубл. 28.09.79 (приоритет от 16.06.78).
А. с. 719385 СССР. Способ изготовления интегральных схем/ Луканов Н. М. Опубл. 06.11.1979 (приоритет от 13.09.78).
А. с. 1225434 СССР. Способ изготовления сверхинтегрированных самосовмещающихся транзисторных структур и интегральных схем на их основе/ Луканов Н. М. Опубл. 15.12.85. (приоритет от 12.04.83).
Баранов В. Н., Большаков Ю. В., Иванов В. И., Луканов Н. М., Попов В. М., Фомин Г. А., Родионов А. В. Лучистый нагрев в микроэлектронном производстве// Труды конференции по электронной технике. "Специальное технологич. оборудование микроэлектроники". - М.: ЦНИИ "Электроника", 1971. Вып. 3(29). С. 54-59.
А. с. 749287 СССР. Способ изготовления транзисторных структур/ Луканов Н. М. Опубл. 21.03.80 (приоритет от 03.11.78).
Луканов Н. М., Демидова Ю. Б. Сравнительный анализ конструктивно-технологических базисов изготовления биполярных транзисторных структур// Тр. 7-й Междунар. науч.-техн. конф. "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники, ПЭМ-2000". - Таганрог, 2000. С. 97-99.
Демидова Ю. Б., Луканов Н. М., Метельков П. В., Сауров А. Н. Конструктивно-технологический базис СВЧ-сверхинтегрированных структур и микросхем радиочастотного диапазона на кремнии// Изв. вузов. Электроника. 2003. № 2. С. 25-32.
Голишников А. А., Демидова Ю. Б., Луканов Н. М., Сауров А. Н. Особенности изготовления самоформируемых свч-транзисторных структур на кремнии (часть 1)// Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. - М.: ФГУП "ВИМИ", 2005. № 4. С. 73-77.
Голишников А. А., Демидова Ю. Б., Луканов Н. М., Сауров А. Н. Особенности изготовления самоформируемых свч-транзисторных структур на кремнии (часть 2)// Там же. 2006. № 1. С. 44-49.
- Купить
