Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ОПТИМИЗАЦИЯ СТРУКТУРЫ И СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ ДВУХКОЛЛЕКТОРНОГО ЛАТЕРАЛЬНОГО БИПОЛЯРНОГО МАГНИТОТРАНЗИСТОРА
- Авторы
- Тихонов Роберт Дмитриевич R.Tikhonov@tcen.ru, канд. техн. наук; старший научный сотрудник, ФГУ НПК"Технологический центр" МИЭТ, Москва, Россия
Поломошнов Сергей Александрович ps@tcen.ru, канд. техн. наук, старший научный сотрудник, ФГУ НПК "Технологический центр" МИЭТ, Москва, Россия
Козлов Антон Викторович anton@dsd.miee.ru, канд. техн. наук, доцент, МИЭТ, Москва, Россия
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- биполярный магнитотранзистор (БМТ) / биполярный магнитотранзистор / сформированный в кармане (БМТК) / биполярный магнитотранзистор с базой в кармане (БМТБК) / приборно-технологическое моделирование
- Год
- 2010 номер журнала 3 Страницы 32 - 37
- Индекс УДК
- УДК 621.3.049.77.002
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- С помощью программ приборно-технологического моделирования проведены оптимизация двухколлекторного биполярного магниточувствительного транзистора (БМТ) и исследования зависимости максимальной относительной магниточувствительности латерального БМТ от его структуры, что позволило повысить относительную магниточувствительность по току. Экспериментальные исследования подтвердили возможность повышения чувствительности в соответствии с рекомендациями, полученными в результате расчетов.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Тихонов Р. Д., Королев М. А., Смирнов С. Ю., Чаплыгин Ю. А. Оптимизация структуры планарного биполярного магниточувствительного транзистора//Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. - М.: ФГУП "ВИМИ", 2003. № 2. С. 66-70.
Тихонов Р. Д., Козлов А. В. Исследование структурной зависимости чувствительности биполярного магнитотранзистора, сформированного в диффузионном кармане//Там же. № 4. С. 56-60.
Тихонов Р. Д., Козлов А. В. Чувствительность трехколлекторного биполярного магнитотранзистора//Там же. 2004. № 4. С. 57-62.
Козлов А. В., Тихонов Р. Д. Концентрационно-рекомбинационная чувствительность магнитотранзистора//Датчики и системы. 2004. № 8. С. 40-42.
Тихонов Р. Д. Обнаружительная способность двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора//Измерительная техника. 2007. № 7. C. 47-51.
Тихонов Р. Д. Физико-технические характеристики двухколлекторного магнитотранзистора// Прикладная физика. 2008. № 4. C. 147-152.
Тихонов Р. Д., Козлов А. В., Поломошнов С. А. Разбаланс потенциалов двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора//Измерительная техника. 2008. № 8. C. 57-61.
Тихонов Р. Д. Интегральный магнитотранзисторный датчик//Там же. 2009. № 4. C. 50-54.
Тихонов Р. Д. Двухколлекторный биполярный магнитотранзистор: определение чувствительности//Микроэлектроника. 2009. № 4. C. 260-272.
Козлов А. В., Тихонов Р. Д. Биполярный магнитотранзистор с базой в кармане// Измерительная техника. 2004. № 9. C. 53-56.
- Купить
