Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- СОСТОЯНИЕ ПРОБЛЕМЫ РАЗРАБОТКИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ УСТАНОВОК
- Авторы
- Тимофеев В. Н. , д-р техн. наук, проф, ,
Миркурбанов Х. А. , канд. техн. наук, ,
Сажнев С. В. , канд. техн. наук, ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2003 номер журнала 4 Страницы 43 - 50
- Индекс УДК
- УДК 621.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Рассмотрены достоинства и недостатки эпитаксиальных установок групповой обработки подложек. Показано, что в связи с ростом диаметра подложек на смену групповой обработке приходит обработка одиночных пластин. Показаны достоинства индивидуальной обработки. Дана классификация реакторов эпитаксиальных установок; обсуждается влияние на качество эпитаксиальных структур (ЭС) различных факторов.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Электроника СБИС: Проектирование микроструктур. - М.: Мир, 1989. - 236 с.
Твердотельные устройства СВЧ в технике связи. - М.: Радио и связь, 1988. - 288 с.
Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. - М.: Мир, 1989. - 582 с.
Козлов Ю. Ф. Технологические основы производства кремниевых пластин и структур для интегральных схем и детекторов ядерных частиц/ Дис. на соиск. канд. техн. наук. М., 2002.
Самойликов В. К. Оптимизация технологического оборудования и процесса газофазной эпитаксии кремния производства СБИС./ Дис. на соиск. д-ра техн. наук. М., 1996.
Сигалов Э. Б., Волков Н. С. Установки ЭПИКВАР для эпитаксии кремния// Электронная промышленность, 1989. № 11. С. 27-39.
Сигалов Э. Б. Принципиальные основы создания оборудования для производства эпитаксиальных структур кремния в газофазных процессах./Дис. на соиск. канд. техн. наук. М., 1990.
Hammond M. Epitaxial Silicon Reactor Tehnology - A Review, pt. 1// SST, 1988. V. 31. № 5. P. 159-164.
Epitaxial Reactor PE3061, LPE s. p. a., Milan, Italy, March, 1999.
Epsilon E 2000, Single-wafer Epitaxial Reactor, ASM International, April, 1999.
Epsilon E 3000, 300 mm Epitaxial Reactor, ASM, A World of Production, Solutions, ASM International, April, 1999.
Epi Centura, Applied Materials, Site and System Preparation Specification, May, 1995.
Семченко А. Н., Райнова Ю. П., Чистяков Ю. Д. Тенденции развития оборудования для газофазной эпитаксии кремния// Сб. Технология, организация производства и оборудование, сер. 7. - М.: ЦНИИ Электроника, 1989. Вып. 8 (1455). С. 47.
Увеличение диаметра пластин и связанные с этим проблемы технологических процессов// "Дэнси Дзаире". 1983. V. 22. Р. 16-22.
Пленочные токопроводящие системы СБИС/Под. ред. Ю. Д. Чистякова), - Минск, 1989. - 150 с.
Чистяков Ю. Д., Райнова Ю. П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. - М.: Металлургия, 1979. - 408 с.
Самойлов В. К., Батюк С. Н., Шварц К. М. Экспериментальные исследования тепломассообмена при осаждении слоев из газовой фазы при пониженном давлении// Минский международный форум "Теплообмен". Избранные доклады, секц. 3. - Минск, 1989. С. 141-152.
Райнова Ю. П., Турилин С. М., Антоненко К. И. и др. Исследование газовых потоков при эпитаксии кремния// Неорганические материалы, 1955. Т. 31. № 2. С. 151-154.
Антоненко К. И., Арендаренко А. А., Райнова Ю. П. и др. Исследование газовых потоков в реакторе радиального типа при эпитаксии GaAs// Изв. РАН. Механика жидкости и газа, 1996. № 6. С. 118-124.
Попов В. Н., Любарский А. И., Самойликов В. К. Методы расчета и исследований процесса эпитаксиального осаждения кремния/ Сб. "Спец. технол. оборудование для производства изделий МЭ", сер. III. "Микроэлектроника". - М.: ЦНИИ "Электроника", 1972. В. 1(9). - 39 с.
Попов В. П. Тепломассоперенос в эпитаксиальном реакторе вертикального типа 1. Симметричный нагрев// ИФЖ, 1989. Т. 56. № 6. С. 242-248.
Попов В. П. Тепломассоперенос в эпитаксиальном реакторе вертикального типа 2. Несимметричный нагрев// Там же, 1989. Т. 57. № 1. С. 23-27.
Fottiadis D. I., Bockhold I. et. al. Flow and Heat Transfer in CVD Reactors: Comprasion of Raman Temperature Measurement and Finite Element Model Prediction// J. Cryst. Growth. 1990. V. 100. № 3. Р. 577-599.
Fottiadis D. I., Yensen K. F. Termophoresist of Solid Particlies in Horisontal Chemical Vapour Deposition Reactor// J. Cryst. Growth. 1990. V. 102. № 4. P. 743-761.
Андриевский Р. А., Спивак Н. И. Прочность тугоплавких соединений и материалов на их основе. Справочник. - Челябинск: "Металлургия", 1989. - 370 с.
Харламов Р. В. Разработка технологии производства кремниевых эпитаксиальных структур для силовых приборов/Дис. на соиск. канд. техн. наук. М., 2000.
Srinivason G. R. Recent Advances in Silicon Epitaxy and its Application for High Performance Integrated Circuits Reactors // J. Cryst. Growth. 1984. V. 70. № 4. Р. 201-207.
Origima M. Low Pressure Silicon Epitaxy. // J. Electrochem. Soc. 1977. V. 124. № 6. Р. 903-908.
Элементная база. Нормаль газовых систем (АО НИИТМ). - М.: НИИТМ, 2000.
Сажнев С. В., Миркурбанов Х. А., Тимофеев В. Н. Прецизионный термоконвективный регулятор расхода газа для технологического оборудования// Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. - М.: ФГУП "ВИМИ", 2003. № 2. С. 25-27.
Сигалов Э. Б., Волков Н. С., Иванов В. И. Совершенствование конструкции подложкодержателей// Сб. Физико-термическое оборудование и автоматизация. Ч. 3. - М.: ЦНИИ "Электроника". 1981. С. 11-12.
Сигалов Э. Б., Волков Н. С., Иванов В. И. Подложкодержатели высокотемпературных реакторов для эпитаксии кремния// Технология п/п приборов. - Таллинн: "Валгус", 1982. С. 93-95.
А. с. 1208855 СССР, МКИ Boij 17/32. Подложкодержатель для газотермической обработки подложек/ Х. А Миркурбанов. Э. Б. Сигалов, Н. С. Волков. 1984 (ДСП).
Самойликов В. К., Шварц К. М. Особенности тепломассообмена процессов осаждения из газовой фазы/ Всесоюзная конференция по тепломассообмену. - Минск. 1984. Т. VIII. С. 140-146.
Концевой Ю. А., Литвинов Ю. М., Фаттахов Э. А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. - М.: Радио и связь, 1982. - 237 с.
Bentini G., Correro L, Donalato C. Defects Introduced in Silicon Wafers During Rapid Isothermal Annealing: Thermoelastic and Thermoplastic Effects// Jap. J. Appl. Phys., 1984. V. 56. № 10. Р. 2922-2929.
Schoen N. C. Thermoelastic Stress Analysis of Pulsed Electron Beam Recrystallization of Ion-Implanted Silicon// Ibid, 1980. V. 51. № 9. Р. 4747-4751.
Akiyama N., Inove Y, Suzuki T. Critical Radial Temperature Gradient Induction Slip Dislocations in Silicon Epitaxy Using Dual Heating of the Two Surfaces of a Wafer// Ibid, 1986. V. 25. № 11. Р. 1619-1622.
Тимофеев В. Н., Сажнев С. В., Миркурбанов Х. А. Расчет напряженно-деформированного состояния и оценка размеров зоны пластической деформации в полупроводниковой пластине при осесимметричном температурном нагружении// Материаловедение, 2002. № 9. С. 2-5,
Сажнев С. В., Тимофеев В. Н., Миркурбанов Х. А. Влияние закона распределения температуры по радиусу полупроводниковой пластины на размер зоны пластической деформации при высокотемпературном нагружении// Там же, 2003. № 1. С. 7-9.
Сажнев С. В., Тимофеев В. Н., Миркурбанов Х. А. Напряженно-деформированное состояние тонкой круглой полупроводниковой пластины при действии массовых сил/ Сб. "Научные основы технологий, материалов, приборов и систем электронной техники". - М.: МИЭТ, 2002. С. 65-72.
Сосунов А. Г. Теплофизические исследования и разработка реакторного блока установки быстрой термической обработки/ Дис. на соиск. канд. техн. наук. М., 2000.
Демкин Н. Б. Фактическая площадь касания твердых поверхностей. - М.: Изд. АН СССР, 1962. - 111 с.
Энциклопедия неорганических материалов. Т. 1, 2. - Киев: Главная редакция Украинской Советской Энциклопедии, 1977.
- Купить