Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ПРОЦЕССЫ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ
- Авторы
- Тимошенков С. П. , д-р техн. наук, проф, ,
Калугин В. В. , д-р техн. наук, ,
Графутин В. И. , канд. физ.-мат. наук, ст. науч. сотр, ,
Прокопьев Е. П. , канд. физ.-мат. наук, ст. науч. сотр, ,
Бойко А. Н. , науч. сотр, ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2003 номер журнала 4 Страницы 51 - 55
- Индекс УДК
- УДК21.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Дан обзор различных методов получения структур кремний на изоляторе (КНИ). Описаны достоинства и недостатки наиболее известных из них. Рассмотрены отдельные технологические операции получения структур КНИ. Отмечены наиболее важные области применения получаемых структур КНИ.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Прокопьев Е. П.// ФХОМ. 1993. № 3. С. 105-108; 1994. № 4-5. С. 121-125 (см. также http://www.prokopep.narod.ru).
Суворов А. Л. и др.// Атомная энергия. 2001. Т. 91. Вып. 4. С. 255.
Богданович Б. Ю., Графутин В. И., Калугин В. В., Прокопьев Е. П., Нестерович А. В., Тимошенков С. П., Чаплыгин Ю. А. Технологии и методы исследования структур КНИ. - М.: МИЭТ-МИФИ-ИТЭФ, 2003. - 288 с.
Nakamura T. Method of Making a Semiconductor Device. Patent 3,239,908 U.S., 1962.
Cave. E. F. Method of Making a Composite Insulator Semiconductor Wafer. Patent 3,290,760 U.S., 1966.
New SOI Technology// Techno Japan. 1987. Vol. 20. № 5. Р. 354.
Goodenough Frank. New processes to spawn next-generation analog, mixed-signal, power Ics// ED. 1992. № 1. Р. 59-62, 64-66, 68, 70.
Akio N., Yochihiro Y., Kiminori W., Hiromichi O., Masaru S. 1800v non-latch-up bipolar-mode MOSFETs (IGBT) fabricated by silicon wafer direct bonding. Extend. Abstrs 18 (1988 Ynt.). Conf. State Devices and Mater., Тоkуо. 20-22, 1986. Р. 88-92.
Nakadawa A., Ymamura K., Furukawa K. 1800v Bipolar-Mode MOSFETs (IGBT)// Toshiba Review. № 161, Autumn 1987.
Александров П. А., Баранова Е. К. и др. Применение ионной имплантации водорода в КНИ-технологии// Известия вузов. Электроника, 2000. № 5. С. 17.
Givargizov E. I., Limanov A. B. Artificial epitaxy (graphoepitaxy) as an approach to the formation of SOI// Microelectronic Eng. 1988. Vol. 8. № 1. P. 273.
Суворов А. Л., Чаплыгин Ю. А., Тимошенков С. П., Прокопьев Е. П. и др. Анализ преимуществ, перспектив применений и технологий производства структур КНИ: Препринт ИТЭФ 27-00, 2000. - 51 с.
Pandy R., Martinez A. Large-area defect-free silicon-on-insulator films by zone-melt recrystallization//Appl. Рhys. Lett. 1988. Vol. 52. P. 901-903.
Skorupa W. Ion beam processing for silicon-on-insulator. Physical and Tecnical Problems of SOI Structures and Devices. J. P. Colinge et al. (eds). Kluwer Academic Publishers. NATO ASI Series 3. Нigh Techno- logy. 1995. Vol. 4. Р. 39-54.
Fan J. C. C., Geis M. W., Tsaur B.-Y. Lateral epitaxy by seeded solidification for growth of single-crystal Si films on insulator// Appl. Phys. Lett. 1981. Vol. 38. P. 365-367.
Allen L. P., Farley M., Datta R, Jones K. S. et al. Fundamental Material Analysis and SIMOX Improvement as a Function of Independent Implant Parameter Control// IEEE SOI Conference. 1996. P. 32-33.
Anc M. J., Allen L. P. et al. Characterization of Low Dose SIMOX for Low Power Electronics// Ibid. 1996. P. 54-55.
Maszara W. P. Silicon-on-Insulator by Wafer Bonding: a Review// J. Electrochem. Soc. 1991. Vol. 138. № 1. P. 341-347.
Мальцев П. П., Чаплыгин Ю. А., Тимошенков С. П. Перспективы развития технологии кремний на изоляторе//Известия вузов. Электроника. 1998 № 5. С. 5.
Furuhawa M. Silicon-to-Silicon direct bonding method// J. Appl. Phys. 1986. Vol. 60. № 8. P. 2987-2989.
Масару С. Технология прямого соединения кремниевых пластин и ее применениe// Дэнси дзеко цуены гаккаиси. J. Inst. Electron. аnd Соmmun. Еng. Jар. 1987. Vol. 70. № 6. P. 593-595.
Field L. A., Muller R. S. Low-temperature silicon-silicon bonding with oxides// Acts polytechn. seand. Elec. End. Sr. 1988. № 63. P. 151-153.
Maszara W. P., Goetz G., Cavigilia A. Mc.Kitterick J. B.// J. Appl. Phys. 1986. Vol. 64. № 10. P 1943-1950.
Tong Q.-Y., Lee T.-H., Goesele U., Reiche M., Ramm Y., Beck E.// J. Electrochem. Soc. 1997. Vol. 144. № 1. P. 38-389.
Stengl R, Tan T, Goesele U.// J. Appl. Phys. 1989. Vol. 28. № 10. P. 1735-741.
Albaugh K. B., Cade P. E. Mechanisms of anodic bonding of silicon to pyrex. Tech. Dig., Solid-State Sensor and Actuator Workshop. 1988. P. 109-110.
Kanda Y., Matsuda K., Murayama C., Sugaya J. The mechanism of field-assisted silicon-glass bonding// Sensors and Actuators. 1990. Vol. A21-A23. P. 939.
Jeung Sang Go, Young-Ho Cho. Experimental evaluation of anodic bonding process based on the Taguchi analysis of interfacial fracture toughness//Ibid. 1999. V. 73. P. 52-57.
- Купить