Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ЗАВИСИМОСТЬ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ МАГНИТОТРАНЗИСТОРА ОТ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ БАЗЫ
- Авторы
- Красюков Антон Юрьевич a_kras@rambler.ru, канд. техн. наук; доцент, Национальный исследовательский университет"МИЭТ", Москва, Россия
Черемисинов Андрей Андреевич cheremisinovaa@gmail.com, аспирант, Национальный исследовательский университет"МИЭТ", Москва, Россия
Тихонов Роберт Дмитриевич R.Tikhonov@tcen.ru, канд. техн. наук; старший научный сотрудник, ФГУ НПК"Технологический центр" МИЭТ, Москва, Россия
- В разделе
- ИЗМЕРЕНИЯ. ИСПЫТАНИЯ. КОНТРОЛЬ И УПРАВЛЕНИЕ КАЧЕСТВОМ
- Ключевые слова
- биполярный магнитотранзистор (БМТ) / приборно-технологическое моделирование / эффект отклонения / поверхностная рекомбинация
- Год
- 2013 номер журнала 2 Страницы 45 - 50
- Индекс УДК
- УДК 621.3.049.77.002
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Проведено сравнение результатов приборно-технологического моделирования и экспериментальных данных. Установлена связь относительной чувствительности по току с распределением примеси в базе двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора (БМТ). Магнитотранзистор 3КБМТБК с малой скоростью поверхностной рекомбинации на границе раздела кремний-диоксид кремния и с экстракцией инжектированных электронов удаленным от поверхности р n -переходом база-карман имеет высокую чувствительность по напряжению 11 В/Тл.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Ristic L. J., Baltes H. P., Smy T., Filanovsky I. Suppressed Sidewall Injection Magnetotransistor with Focused Emitter Injection and Carrier Double Deflection// IEEE Electron Devices Letters. 1987. V. 9. P. 395-397.
Uk-Song, Seung-Ki Lee, Min-Koo Han. Highly sensitive magnetotransistor with combined phenomena of Hall effect and emitter injection modulation operated in the saturation mode//Sensors and Actuators. 1996. V. A54. P. 641-645.
Амеличев В. В., Галушков А. И., Миргородский Ю. Н., Тихомиров П. А., Чаплыгин Ю. А., Шорин М. В., Шубин С. В. Моделирование биполярного двухколлекторного магнитотранзистора и определение режима термокомпенсации изменения чувствительности//Датчики и системы. 1999. № 6. С. 38-42.
Козлов А. В. Исследование и разработка двухколлекторного биполярного магнитотранзистора с повышенной магниточувствительностью: Дис. канд. техн. наук. - М., 2009. С. 180.
Королёв М. А., Чаплыгин Ю. А., Амеличев В. В., Тихонов Р. Д., Шорин М. В. Исследование возможности повышения чувствительности биполярных латеральных магниточувствительных транзисторов// Изв. вузов. Электроника. 2002. № 1. С. 40-43.
Тихонов Р. Д. Исследование биполярного магнитотранзистора с базой в кармане// Датчики и системы. 2004. № 12. С. 42-46.
- Купить