Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ИЗУЧЕНИЕ МЕТОДОМ АННИГИЛЯЦИОННОЙ ПОЗИТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ C РАЗЛИЧНЫМИ МЕТОДАМИ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ
- Авторы
- Тимошенков С. П. , д-р техн. наук, проф, ,
Калугин В. В. , д-р техн. наук, ,
Графутин В. И. , канд. физ.-мат. наук, ст. науч. сотр, ,
Прокопьев Е. П. , канд. физ.-мат. наук, ст. науч. сотр, ,
Фунтиков Ю. В. , , ,
Захаров А. А. , , ,
Илюхина О. В. , канд. физ.-мат. наук, ,
Мясищева Г. Г. , канд. физ.-мат. наук, ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2005 номер журнала 2 Страницы 68 - 74
- Индекс УДК
- УДК 539.124.6:621.315.592+039.54
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Методом измерения углового распределения аннигиляционных фотонов (УРАФ) исследован процесс аннигиляции позитронов в необлученных и облученных протонами пластинах кремния р-типа c ориентацией <111> и различными параметрами и технологическими методами обработки поверхности. Выделенные в кривых УРАФ параболические Ip и гауссовские Ig компоненты объясняются аннигиляцией уилеровских состояний позитронов в объеме и в области остовов ионов кремния, соответственно. Анализ экспериментальных кривых УРАФ и разностных значений интенсивностей Ip и Ig в кривых УРАФ между облученными и необлученным образцами и решение кинетических уравнений образования, превращений и аннигиляции позитронных состояний позволили впервые определить по значениям Ip и Ig концентрации радиационных дефектов в кремнии в интервале значений концентраций от 1016 до 1018 см-3 и изменения концентраций свободных электронных состояний в образцах кремния с различными параметрами и условиями обработки поверхности. Эти данные важны для радиационной физики кремния и производства материалов на основе кремния.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Oqita Y. et al. // J. Crystal Growth. 2000. V. 210. № 1-3. P. 36-39.
Литвинов Ю. М. // Поверхность. 2000. № 9. С. 90-93.
Литвинов Ю. М. // Известия вузов. Сер. Электроника. 2000. № 3. С. 34-37.
Litvinov Yu. V., Makarov A. S. // Proc. Int. Cont. "Silicon-2000". P. 23-25.
Богданович Б. Ю., Дягилев В. В., Графутин В. И., Илюхина О. В и др. Изучение протонированных пластин кремния, используемых для производства структур КНИ, методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. I. Теория и методика эксперимента//Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. 2004. № 2. С. 19-25.
Богданович Б. Ю., Дягилев В. В., Графутин В. И., Илюхина О. В. и др. Изучение протонированных пластин кремния, используемых для производства структур КНИ, методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. II. Теория позитронных состояний в кремнии, облученном протонами. Определение средних концентраций радиационных дефектов// Там же. № 3. 37-43.
Графутин В. И., Прокопьев Е. П.// УФН. 2002. Т. 172. № 1. С. 67.
Timoshenkov S. P., Svetlov-Prokop'ev E. P., Kalugin V. V., Zakharov A. A. Possibility of Silicon-on-Insulator (SOI) Structure Production Using Wet Surface Treatment and Smart Technique// Тез. докл. 8-й Междунар. конф. по физике твердого тела. - Казахстан, Алматы, 23-26 августа, 2004. С. 57.
Графутин В. И., Залужный А. Г., Калугин В. В., Прокопьев Е. П. и др. Физико-химические основы получения структур кремний на изоляторе с использованием метода газового скалывания// Перспективные материалы. 2002. № 3. С. 5-12.
Богданович Б. Ю., Графутин В. И., Калугин В. В., Нестерович А. В., Прокопьев Е. П. и др. Технологии и методы исследования структур кремний на изоляторе. - М.: МИФИ, 2003. - 288 с.
Богданович Б. Ю., Нестерович А. В., Тимошенков С. П., Графутин В. И. и др. Возможности создания источников ионов водорода для технологических установок имплантации протонов в полупроводниковые пластины большого диаметра в целях создания многослойных структур// Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. 2004. № 1. С. 55-61.
Тимошенков С. П., Лапицкий Ю. Я., Графутин В. И., Прокопьев Е. П и др. Разработка источников ионов водорода для имплантации протонов в полупроводниковые пластины для создания многослойных структур// Там же. № 4. С. 45-49.
Козлов В. А., Козловский В. В. Легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении протонами и alpha-частицами: Обзор// Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35. Вып. 7. С. 769.
Козловский В. В., Козлов В. А., Ломасов В. Н. Модифицирование полупроводников пучками протонов: Обзор// Там же. 2000. Т. 34. Вып. 2. С. 129.
- Купить