Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Фотоэлектрические характеристики солнечного элемента с p-i-n-структурой на основе n-GaAs и p-CuPc
- Авторы
- Смирнова О. Ю. , аспирант кафедры электрооборудования, Вологодский государственный технический университет (ВоГТУ), г. Вологда
Федоров М. И. , канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры электрооборудования, Вологодский государственный технический университет (ВоГТУ), г. Вологда
- В разделе
- РАЦИОНАЛЬНОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ РЕСУРСОВ И ЭКОЛОГИЧЕСКАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ
- Ключевые слова
- Год
- 2005 номер журнала 1 Страницы 52 - 55
- Индекс УДК
- УДК 621.31:535.215
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Исследованы вольт-амперные, вольт-фарадная, спектральные и люкс-амперные характеристики солнечных элементов (СЭ) с p-i-n-структурой на основе неорганического полупроводника GaAs и органического полупроводника - фталоцианина меди (CuPc). P-i-n-структура была получена по запатентованному способу [1]. Толщина пленки CuPc d = 46,5 нм, причем d1 = 23 нм пролегирована кислородом и обладает проводимостью p-типа, а di = 23,5 нм - толщина i-области. Вольт-амперные характеристики обусловлены туннельно-рекомбина-ционным механизмом проводимости. Максимум чувствительности по фотоЭДС соответствует λ = 400 нм и смещен в сторону коротких длин волн в сравнении с максимумом чувствительности по фотоЭДС. СЭ с гетеропереходом, что указывает на наличие i-области между n-GaAs и p-CuPc. Основные характеристики СЭ: Uхх = 265 мВ; jкз = 0,17 мА/см2 (в расчете на падающий свет); FF = 0,3 (освещение интенсивностью Е = 450 Вт/м2); Сб = 15⋅10-4 Ф/м2.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Пат. 2071148 РФ. Кл H 01 L 31/18/Федоров М. И., Шорин В. А., Масленников С. В., Корнейчук С. К. Способ изготовления твердотельного фотогальванического элемента для преобразования энергии света в электрическую энергию// ВоПИ (Россия); Заявл. 27.05.94; Опубл. 27.12.96. Бюл. №36.
Твайдл Дж., Уэйр А. Возобновляемые источники энергии. - М.: Энергоатомиздат, 1990. - 293 с.
Федоров М. И., Плахотник А. Н. Ультрафиолетовый фотоприемник в физическом практикуме// Сб. науч. тр. МПГУ. Преподавание физики в вузе. - М., 1996.
Пат. 2034372 РФ. Кл H 01 L 31/18/ Федоров М. И., Корнейчук С. К., Шорин В. А., Масленников С. В. Способ получения ультрафиолетового преобразователя// ВоПИ (Россия); Опубл. 30.04.95. Бюл. № 12.
Корнейчук С. К., Федоров М. И. Фотоэлектрические характеристики фотоприемника на основе GaAs/CuPc// Известия вузов. Сер. Физика. 1996. № 7. С. 41-45.
Масленников С. В., Федоров М. И. Солнечные элементы с гетеропереходом на основе органических полупроводников// Там же. 1997. № 1. С. 69-71.
Сергиевская И. Ю. Повышение качества контроля ультрафиолетового излучения на предприятиях агропромышленного комплекса: Дис. … канд техн. наук. - Челябинск, 1999. - 157 с.
Симон Ж., Андре Ж. Молекулярные полупроводники. - М.: Мир, 1998. - 344 с.
Федоров М. И., Масленников С. В., Ахмедов Х. М.// Электронная техника. Сер. Материалы. 1991. Вып. 4 (258). С. 24-27.
Федоров М. И. Влияние легирования на проводимость и фотопроводимость слоев фталоцианинов: Дис. … канд. физ.-мат. наук. - Черноголовка, 1973. - 130 с.
Федоров М. И., Бендерский В. А. Характеристики тонкопленочных фотоэлементов на основе фталоцианина магния// Физика и техника полупроводников. 1970. Т. 4. Вып. 7. С. 1403-1405.
Федоров М. И., Бендерский В. А. Образование р-n-перехода при легировании слоев фталоцианина магния// Там же. Вып 10. С. 2007-2009.
Бендерский В. А., Альянов М. И., Федоров М. И. и др. Модельные органические преобразователи световой энергии// ДАН СССР. 1978. Т. 239. С. 856-859.
Маслеников С. В. Исследование электронно-оптических, полупроводниковых и фотоэлектрических свойств структурно-замещенных металлфталоцианинов и родственных соединений: Дис. … канд. хим. наук. - Вологда, 2000. - 124 с.
Федоров М. И., Масленников С. В. Гетеропереход на основе арсенида галлия и фталоцианина меди// 5-я Всес. конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах: Тез. докл. - Калуга, 1990. Т. 1. С. 119.
Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики: Пер. с англ./ Фонаш С., Ротворф А., Казмерский Л. и др./ Под ред. Т. Коутса, Дж. Микина. - М.: Мир, 1988. - 307 с.
- Купить
