Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Полупроводниковые лазеры с квантовыми точками InAs
- Авторы
- АЛФЕРОВ Ж. И. , , Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
НИКИТИНА Е. В. , , Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
ЕГОРОВ А. Ю. , , Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
ЖУКОВ А. Е. , , Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
УСТИНОВ В. М. , , Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
- В разделе
- ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫЕ КОМПОЗИЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ С НАНОСТРУКТУРНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ
- Ключевые слова
- Год
- 2004 номер журнала 4 Страницы 14 - 26
- Индекс УДК
- УДК 535:621.373.8
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Материалы конференций
- Аннотация
- На протяжении последних лет структуры с квантовыми точками (КТ) на основе материалов InAs, (In,Al)GaAs являются объектом интенсивного исследования. Большой интерес к лазерам с квантовыми точками прежде всего обусловлен возможностью достижения экстраординарно низкой пороговой плотности тока и получения излучения с длинами волн 1,3 и 1,55 мкм, соответствующими окнам прозрачности оптического волокна. Лазерные диоды, излучающие на длинах волн 1,3 и 1,55 мкм, являются ключевыми элементами высокоскоростных волоконно-оптических линий связи.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Bimberg D., Grundmann M., Ledentsov N. N. Quantum Dot Heterostructures (Chichester Wiley, 1999).
Ruvimov S. S., Werner P., Scheerschmidt K. et al.// Phys. Rev. B. 1999. 51. Р. 14766.
Егоров А. Ю., Жуков А. Е., Копьев П. С. и др.// ФТП. 1996. 30. С. 1345.
Ustinov V. M., Maleev N. A. et al.// Appl. Phys. Lett. 1999. 74. Р. 2815.
Zhukov A. E., Ustinov V. M. et al.// J. Electron Mater. 1998. 27. Р. 106.
Устинов В. М., Жуков А. Е., Цацульников А. Ф. и др.// ФТП. 1997. 31. С. 1256.
Mikhrin S. S., Zhukov A. E. et al.// Semicond. Sci. Technol. 2000. 15. Р. 1061.
Maximov M. V., Tsatsul'nikov A. F., Volovik B. V. et al.// Phys. Review B. 2000. V. 62(24). Р. 16671-16680.
Михрин С. С., Жуков А. Е., Ковш А. Р. и др.// ФТП. 2002. 36 (11). С. 1400-1407.
Лившиц Д. А., Ковш А. Р., Жуков А. Е. и др.// ПЖТФ. 2004. 30(1). С. 21-27.
Kovsh A. R., Maleev N. A., Zhukov A. E. et al.// Electron. Lett. 2000. 36(16). Р. 1643-1644.
Kosogov A. O., Werner P., Gosele U. et al.// Appl. Phys. Lett. 1996. 69(20). Р. 3072-3074.
Жуков А. Е. Егоров А. Ю., Ковш А. Р. и др.// ФТП. 1997. 31(1). С. 105-109.
Ustinov V. M., Zhukov A. E.// Semicond. Sci. Technol. 2000. 15, R41.
Жуков А. Е., Ковш А. Р., Михрин С. С. и др.// ФТП. 2003. 9. С. 1143.
Semenova E. S., Zhukov A. E., Mikhrin S. S. et al.// Nanotechnology. 2004. 15(4). S283-287.
Жуков А. Е., Васильев А. П., Ковш А. Р. и др.// ФТП. 2003. 37(12). С. 1461-1464.
Максимов М. В., Шерняков Ю. М., Крыжановская Н. В. и др.// Там же. 2004. 38(6). С. 763-766.
Huffaker L., Deppe D. G.// IEEE Photonics Technol. Lett. 1999. 11. Р. 934.
MacDougal M. H., Dapkus P. D., Bond A. E., Lin C.-K., Geske J.// IEEE J. Seleced. Topics in Quantum Electron.1997. 3. Р. 905.
Lott J. A., Ledentsov N. N., Ustinov V. M., Maleev N. A., Zhukov A. E., Kovsh A. R., Maximov M. V., Volovik B. V., Alferov Zh. I., Bimberg D.// Electron. Lett. 2000. 36. Р. 1384.
Ustinov V. M., Zhukov A. E., Maleev N. A., Kovsh A. R., Mikhrin S. S., Cherkashin N. A., Shernyakov Yu. M., Maximov M. V., Tsatsul'nikov A. F., Ledentsov N. N., Alferov Zh. I., Loot J. A., Simberg D.// SPIE's Photonics West 2002 (Optoelectronics 2002, San Jose, CA, USA, 20-25 January 2002), paper 4646-05, Technical Summary Digest. 2002. P. 49.
Lott J. A., Ledenysov N. N., Kovsh A. R., Ustinov V. M., Bimberg D., LEOS2003, IEEE Annual Meeting Conf. Proc. 2003. Р. 499-500.
- Купить