Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Методы анализа явлений переноса в HgCdTe при наличии нескольких типов носителей
- Авторы
- Берченко Николай Николаевич nberchen@univ.rzeszow.pl, профессор1, 2, 1Национальный университет "Львовская политехника" 2Институт физики Жешувского университета, Украина, 79012, Львов, ул. Бандеры, 13. Тел. (+38032) 275-93-38; Польша, 35-959, Жешув, Аллея Рейтана, 16а
Елизаров Александр Иванович ai-elizarov@online.ua, профессор, Кременчугский государственный политехнический университет им. М. Остроградского, Украина, 39614, Кременчук, ул. Першотравнева, 20. Тел. (+38 0536) 71-22-36
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- кинетические эффекты / твердый раствор HgCdTe / многослойные структуры / спектр подвижности / QMSA
- Год
- 2011 номер журнала 4 Страницы 79 - 87
- Индекс УДК
- УДК 621.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Представлен анализ результатов исследований узкощелевого твердого раствора HgCdTe с помощью классических кинетических эффектов, которые проводились с момента получения первых образцов этого материала. Показано, что эти исследования позволили не только определить основные параметры носителей заряда, но и судить о структурном совершенстве материала, а также принципиально расширили возможности этих экспериментальных методов, например для анализа полупроводниковых многослойных структур.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Пономаренко В. П.//УФН. 2003. Т. 173. С. 649.
Бовина Л. А, Стафеев В. И. Сб. Физика соединений AIIBVI/Под ред. А. Н. Георгобиани, М. К. Шейнкмана. - М.: Наука. Физматлит, 1986.
Барышев Н. С. Свойства и применение узкозонных полупроводников. - Казань: УНИПРЕСС, 2000.
Любченко А. В., Сальков Е. А., Сизов Ф. Ф. Физические принципы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники. - Киев: Наук. думка, 1984.
Гельмонт Б. Л., Дьяконов М. И. // ЖЭТФ. 1972. Т. 62. С. 713.
Белоусова O. H., Бовина Л. А., Стафеев В. И., Пономарев Я. Г. // ЖЭТФ. 1974. Т. 66. С. 330.
Брандт Н. Б., Белоусова O. H., Бовина Л. А., Пономарев Я. Г, Савченко Ю. Н., Стафеев В. И. // Письма ЖЭТФ. 1974. Т. 20. С. 370.
Tsidilkovski I. M., Harus G. I., Shelushinina N. G.// Advances in Physics, 1985. V. 34. P. 43.
Бовина Л. А., Савченко Ю. Н., Стафеев В. И.//ФТП. 1975. Т. 9. С. 2084.
Бовина Л. А., Пономаренко В. П., Стафеев В. И. //Там же. 1978. Т. 12. С. 2207.
Пономаренко В. П., Бовина Л. А., Савченко Ю. Н., Стафеев В. И. //Там же. 1979. Т.13. С. 441.
Ivanov-Omskii V. I., Berchenko N. N., Elisarov A. I.// Phys. Stat. Sol.(a). 1987. V.103. S.11.
Гасан-заде С. Г., Стриха М. В., Шепельский Г. А. // ФТП. 1999. Т. 33. С. 574.
Берченко Н. Н., Кревс В. Е., Пашковский М. В. // Физическая электроника. 1976. № 13. С. 52.
Елизаров А. И.//Физическая электроника. 1979. № 18. C. 46.
Елизаров А. И., Иванов-Омский В. И., Богобоящий В. В., Петренко В. Р., Петряков В. А.// ТП. 1985. Т. 19. С. 819.
Berchenko N. N., Kurbanov K. R., Nikiforov A. Yu., Korovin A. V. // Material Science and Engeneering. 1997. V. B44. P. 274.
Пономаренко В. П., Шиманский И. В., Стафеев В. И.// ФТП. 1988. Т. 22. С. 62.
Salmin E. A., Shimansky I. V., Ponomarenko Y. P., Stafeev V. I.//Acta Phys. Polon. 1990. V. A77. P. 237.
Елизаров А. И., Зверев Л. П., Кружаев В. В., Миньков Г. М., Рут О. Э. //ФТП. 1983. Т. 17. С. 459.
Emtage P. R., Temofonte T. A., Noreika A. J., Seiler C. F.// Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. P. 2015.
Belyaev A. E., Beketov G. V., Gorodnichii O. P., Komirenko S. M., Mukha L. A. //Phys. Stat. Sol.(a). 1993. V. 135. Р. 253.
Petritz R. L. //Phys. Rev. 1958.V. 110. P. 1254.
Beck W. A., Anderson J. R.//J. Appl. Phys. 1987. V. 62. P. 541.
Dziuba Z., Gorska M.//J. Phys. 1992. V. III 2. P. 99.
Dziuba Z. //Phys. Stat. Sol.(a). 1996. V. 153. Р. 445.
Antoszewski J., Seymour D. J., Faraone L., Meyer J. R., Hoffman C. A. //J. Electron. Mater. 1995. V. 24. P. 1255.
Meyer J. R., Hoffman C. A., Antoszewski J., Faraone L.// J. Appl. Phys. 1997. V. 81. P. 709.
Vurgaftman I., Meyer J. R., Hoffman C. A., Redfern D., Antoszewski J., Faraone L., Lindemuth J. R. // J. Appl. Phys. 1998. V. 84. P. 4996.
Antoszewski J., Faraone L., Vurgaftman I., Meyer J. R., Huffman C. A. //J. Electron. Mater. 2004. V. 33. P. 673.
Kiatgamolchai S., Myronov M., Mironov O. A., Kanter V. G., Parker E. H. C., Whall T. E.// Phys. Rev. 2002. V. E 66. P. 36705.
Gang Du, Lindemuth J. R., Dodrill B. C., Sandhu R., Wojtowicz M., Goosky M. S., Vurgaftman I., Meyer J. R. http://www.lakeshore.com/pdf_files/systems/Hall_Data_Sheets/IPRM%20Paper.pdf
Tsen G. K. O., Musca C. A., Dell J. M., Antoszewski J., Faraone L. //J. Electron. Mater. 2007. V. 36. P. 826.
Богобоящий В. В., Ижнин И. И.// Вісник Кремен-чуцького державного політехнічного університету. 2003. №. 2. С. 10.
Bogoboyashchyy V. V., Elizarov A. I., Izhnin I. I. // Semicond. Sci. Technol. 2005. V. 20. P. 726.
Berchenko N. N., Bogoboyashchiy V. V., Izhnin I. I., Pociask M., Sheregii E. M., Yudenkov V. A. // Phys. Stat. Sol. (c). 2005. V. 2. P. 1418.
Vurgaftman I., Meyer J. R., Hoffman C. A., Cho S., Ketterson J. B., Faraone L., Antoszewski J., Lindemuth J. R.// J. Electron. Mater. 1999. V. 28. P. 548.
Umana-Membreno G. A., Antoszewski J., Faraone L., Smith E. P. G., Venzor G. M., Johnson S. M., Phillips V.// J. Electron. Mater. 2010. V. 39. P. 1023.
Antoszewski J., Faraone L.//Opto-Electron. Rev. 2004. V. 12. P. 347.
Tasli P., Lisesivdin S. B., Yildiz A., Kasap M, Arslan E., Özcelik S., Ozbay E.// Cryst. Res. Technol. 2010. V. 45. P. 133.
- Купить
- 100.00 руб